[實用新型]基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220198354.8
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN202585516U
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭文平;王東盛;鐘玉煌
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務(wù)所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)，其特征是：包括AlN陶瓷襯底（101）及生長于AlN陶瓷襯底（101）上的緩沖層（102），所述緩沖層（102）上生長有GaN?LED結(jié)構(gòu)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)，其特征是：所述AlN陶瓷襯底（101）的厚度為50mm~300mm，AlN陶瓷襯底（101）的晶相為<001>、<111>、<110>的單晶體或多晶體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)，其特征是：所述AlN陶瓷襯底（101）為多晶體時，AlN陶瓷襯底（101）與緩沖層（102）間設(shè)置有晶相為<001>的單晶取向?qū)踊蝾悊尉∠驅(qū)印?/p>

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)，其特征是：所述緩沖層（102）的厚度為10nm~100nm；緩沖層（102）為GaN層、AlN緩沖層、Al_xGa_1-xN層、In_xGa_1-xN層或?Al_xIn_yGa_1-x-yN層；其中，x為0.01~0.99，y為0.01~0.99。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)，其特征是：所述GaN?LED結(jié)構(gòu)層包括生長于緩沖層（102）上的非摻雜GaN層（103）、所述非摻雜GaN層（103）上生長有N型氮化鎵層（104），所述N型氮化鎵層（104）上生長有多量子阱層（11），所述多量子阱層（11）上生長有P型鋁鎵氮層（105），所述P型鋁鎵氮層（105）上生長有P型氮化鎵層（106）。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)，其特征是：所述非摻雜GaN層（103）與N型氮化鎵層（104）間設(shè)置DBR層（12），所述DBR層（12）生長于非摻雜GaN層（103）上。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)，其特征是：所述P型氮化鎵層（106）上生長有粗化層（107）。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)，其特征是：所述DBR層（12）為Al_mGa_1-mN、GaN的周期結(jié)構(gòu)，所述周期是1~100，m范圍是0.01~0.99。