[實(shí)用新型]一種低輻射透明薄膜太陽能電池組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220197256.2 | 申請日: | 2012-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN202651157U | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蒼利民;萬志剛;閻韜;丁萬勇;劉衛(wèi)慶;劉志輝;陳林濮 | 申請(專利權(quán))人: | 河南安彩高科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/052 |
| 代理公司: | 鄭州聯(lián)科專利事務(wù)所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 時立新 |
| 地址: | 455000 河南省安陽*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 輻射 透明 薄膜 太陽能電池 組件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種太陽能電池組件,尤其涉及一種低輻射透明薄膜太陽能電池組件。
背景技術(shù)
隨著能源危機(jī)及環(huán)境污染問題的日益突出,能源問題亟待解決,太陽能作為一種用之不盡、取之不竭的清潔能源逐漸引起了各國研究者的重視,太陽能電池作為能源轉(zhuǎn)換裝置也被各國廣泛研究使用。早期的太陽能電池中,晶體硅太陽能電池作為第一代太陽能電池以轉(zhuǎn)換效率高、制作工藝簡單占據(jù)了較大的市場份額,但原材料匱乏等因素制約著晶體硅太陽能電池的進(jìn)一步發(fā)展。第二代薄膜太陽能電池正是在這種背景下發(fā)展起來,包括非晶硅、微晶硅、銅銦鎵硒、碲化鎘及疊層薄膜結(jié)構(gòu)。最為典型的是硅基薄膜電池,其組件背板多采用普通或鋼化玻璃。
低輻射玻璃(Low-E)廣泛應(yīng)用于玻璃制造行業(yè),具有高可見光透射率和高紅外紫外光的反射率的特點(diǎn)。低輻射玻璃(Low-E)包括在線低輻射玻璃和離線低輻射玻璃,其制作過程和機(jī)理為在基底上分別通過化學(xué)氣相沉積法(CVD)和濺射沉積多膜層結(jié)構(gòu),能夠通過反射紅外光,透過可見光的方式達(dá)到室內(nèi)保溫、節(jié)約能源的目的,同時也能減小室內(nèi)外溫差而引起的熱傳遞。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種低輻射透明薄膜太陽能電池組件,能夠使太陽能電池組件同時具有透光和節(jié)能功能,同時減小室內(nèi)外溫差而引起的熱傳遞。
本實(shí)用新型采用下述技術(shù)方案:
一種低輻射透明薄膜太陽能電池組件,包括從下至上依次堆疊的透明絕緣基板、前電極層、光電轉(zhuǎn)換層、背電極層、封裝薄膜和背板,背板上安裝有接線盒,其特征在于:所述的背板采用低輻射玻璃。
所述的低輻射玻璃為在線低輻射玻璃或離線低輻射玻璃。
所述的前電極層和背電極層為透明導(dǎo)電氧化物。
所述的光電轉(zhuǎn)換層為硅基薄膜層、碲化鎘基薄膜層、銅銦鎵硒基薄膜層或疊層膜層結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡單,易于實(shí)現(xiàn),利用具有高可見光透射率和高紅外紫外光的反射率特點(diǎn)的低輻射玻璃作為太陽能電池的背板,能夠使太陽能電池組件具有透光和節(jié)能的功能,同時能夠減小室內(nèi)外溫差而引起的熱傳遞。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示,本實(shí)用新型包括從下至上依次堆疊的透明絕緣基板、前電極層、光電轉(zhuǎn)換層、背電極層、封裝薄膜和背板,背板上安裝有接線盒,背板采用低輻射玻璃。所述的低輻射玻璃包括在線低輻射玻璃和離線低輻射玻璃,可分別通過化學(xué)氣相沉積法(CVD)和濺射沉積多膜層結(jié)構(gòu)制得。低輻射玻璃的制作方法為成熟的現(xiàn)有技術(shù),在此不再贅述。低輻射玻璃具有高可見光透射率和高紅外紫外光的反射率的特點(diǎn),能夠通過反射紅外光,透過可見光的方式達(dá)到室內(nèi)保溫、節(jié)約能源的目的,同時也能減小室內(nèi)外溫差而引起的熱傳遞。前電極層和背電極層均為透明導(dǎo)電氧化物。光電轉(zhuǎn)換層為硅基薄膜層、碲化鎘基薄膜層、銅銦鎵硒基薄膜層或疊層膜層結(jié)構(gòu)。透明絕緣基板采用超白浮法玻璃1。
在制備本實(shí)用新型時,首先在超白浮法玻璃1表面利用濺射技術(shù)沉積摻鋁氧化鋅(AZO)薄膜2構(gòu)成前電極層,清洗后進(jìn)行第一道激光刻蝕。
然后將超白浮法玻璃1清洗后放入PECVD設(shè)備中,通入硅烷、甲烷、磷烷、硼烷、氫氣混合氣體沉積得到光電轉(zhuǎn)換層,光電轉(zhuǎn)換層是由p型硅3、本征硅4和n型硅5堆迭形成的PIN結(jié)構(gòu)。
其次,再將超白浮法玻璃1降溫后進(jìn)行第二道激光刻蝕,送入磁控濺射系統(tǒng)中沉積背電極AZO薄膜6構(gòu)成背電極層,并進(jìn)行第三道激光刻蝕。
最后將超白浮法玻璃1清洗并對電池進(jìn)行焊接引線,所用材料為鋁帶,在背電極表面涂覆密封材料PVB7構(gòu)成封裝薄膜,背板為低輻射玻璃8,層壓后得到完整的低輻射透光薄膜電池組件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





