[實用新型]一種靜電釋放保護(hù)電路和驅(qū)動電路、集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220196094.0
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN202797929U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田光春
• 申請（專利權(quán)）人: 快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H01L27/02
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11270
• 代理人: 張穎玲;武晨燕

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及靜電釋放(ESD，Electro-Static?Discharge)技術(shù)，尤其涉及一種ESD保護(hù)電路和驅(qū)動電路、集成電路(IC，Integrated?Circuit)。

背景技術(shù)

目前的ESD保護(hù)是通過在驅(qū)動器件的輸出端串聯(lián)鎮(zhèn)流電阻來限制流向驅(qū)動器件的靜電電流，提高觸發(fā)驅(qū)動器件的靜電電壓，防止靜電使驅(qū)動器件觸發(fā)而損壞。

圖1所示為推挽方式的驅(qū)動電路，如圖1所示，驅(qū)動器件N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOS，N-Metal-Oxid-Semiconductor)M11和P型MOS(PMOS)M12組成推挽輸出電路，NMOS?M11的柵極連接第一預(yù)驅(qū)動器件D11的輸出端，PMOS?M12的柵極連接第二預(yù)驅(qū)動器件D12的輸出端，NMOS?M11的源極連接接地節(jié)點GND，PMOS?M12的源極連接電源VCC，在NMOS?M11和PMOS?M12的輸出端串聯(lián)鎮(zhèn)流電阻R11，在該驅(qū)動電路沒有上電的情況下，NMOS?M11的柵極電壓為不確定狀態(tài)，ESD保護(hù)器件NMOS?M13的柵極電壓可能沒有被ESD檢測電路(ESD?Detection?Circuit)14拉升至NMOS?M11的柵極電壓水平，那么NMOS?M11的觸發(fā)電壓就可能低于NMOS?M13的觸發(fā)電壓。如果沒有鎮(zhèn)流電阻R11，在有靜電時，驅(qū)動器件NMOS?M11可能先于ESD保護(hù)器件NMOS?M13被觸發(fā)，巨大的靜電電流便會損壞驅(qū)動器件NMOS?M11。增加鎮(zhèn)流電阻R11后，即使驅(qū)動器件NMOS?M11先于ESD保護(hù)器件NMOS?M13被靜電觸發(fā)，鎮(zhèn)流電阻R11也會限制大量靜電電流流向驅(qū)動器件NMOS?M11，而由隨后觸發(fā)的ESD保護(hù)器件NMOS?M13將輸出節(jié)點OUTPUT處靜電電流釋放到接地節(jié)點GND。

圖2所示為開漏方式的驅(qū)動電路，如圖2所示，驅(qū)動器件NMOS?M21的輸出端串聯(lián)鎮(zhèn)流電阻R21，柵極連接第一預(yù)驅(qū)動器件D21，在該驅(qū)動電路沒有上電的情況下，NMOS?M21的柵極電壓為不確定狀態(tài)，ESD保護(hù)器件NMOS?M22的柵極電壓可能沒有被ESD檢測電路23拉升至NMOS?M21的柵極電壓水平，那么NMOS?M21的觸發(fā)電壓就可能低于NMOS?M22的觸發(fā)電壓。如果沒有鎮(zhèn)流電阻R21，在有靜電時，驅(qū)動器件NMOS?M21可能先于ESD保護(hù)器件NMOSM22被觸發(fā)，巨大的靜電電流便會損壞驅(qū)動器件NMOS?M21。增加鎮(zhèn)流電阻R21后，即使驅(qū)動器件NMOS?M21先于ESD保護(hù)器件NMOS?M22被靜電觸發(fā)，鎮(zhèn)流電阻R21也會限制大量靜電電流流向驅(qū)動器件NMOS?M21，而由隨后觸發(fā)的ESD保護(hù)器件NMOS?M22將輸出節(jié)點OUTPUT處靜電電流釋放到接地節(jié)點GND。

但是，在驅(qū)動器件的輸出端串聯(lián)鎮(zhèn)流電阻的ESD保護(hù)方式，降低了驅(qū)動電路正常上電工作時的驅(qū)動能力，并且，對于許多應(yīng)用產(chǎn)品，驅(qū)動電路的輸出端不允許有鎮(zhèn)流電阻，如：對于低輸出阻抗的應(yīng)用產(chǎn)品，驅(qū)動電路的輸出端不允許有任何阻值的鎮(zhèn)流電阻。

還有一種ESD保護(hù)方式是在驅(qū)動器件中增加硅化物阻擋(Silicide?Block)掩膜版，從而在驅(qū)動器的漏端嵌入式增加串聯(lián)電阻，實現(xiàn)自我保護(hù)，但這種方式，硅化物阻擋增加了制作工藝的復(fù)雜度，同時也增加掩膜版和制造工藝成本，而且以這種方式，驅(qū)動器件的漏端接觸孔到柵極的距離要增大，因而增加了驅(qū)動器件的尺寸，使驅(qū)動器件需要更大的版圖布線區(qū)域。

實用新型內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實用新型的主要目的在于提供一種ESD保護(hù)電路和驅(qū)動電路、集成電路。

為達(dá)到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：

本實用新型提供的一種ESD保護(hù)電路，該電路包括：

在檢測到靜電時向驅(qū)動關(guān)閉電路發(fā)送使能信號，并將靜電釋放到接地節(jié)點的ESD控制電路；

根據(jù)所述使能信號去使能驅(qū)動器件的驅(qū)動關(guān)閉電路。

本實用新型提供的一種驅(qū)動電路，該電路包括：

在檢測到靜電時去使能驅(qū)動器件，并將靜電釋放到接地節(jié)點的ESD保護(hù)電路；

在正常工作時輸出驅(qū)動信號的驅(qū)動器件。

本實用新型提供的一種集成電路，所述集成電路包括：信號處理電路、驅(qū)動電路；其中，

在正常工作時根據(jù)信號的處理結(jié)果控制驅(qū)動電路輸出驅(qū)動信號的信號處理電路；

在正常工作時輸出驅(qū)動信號，在檢測到靜電時，去使能驅(qū)動器件，并將靜電釋放到接地節(jié)點的驅(qū)動電路。