[實用新型]半導體照明裝置

有效

• 申請號: 201220193360.4
• 申請日: 2012-05-03
• 公開（公告）號: CN202927507U
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 王晴雪;王偉霞;鄭子豪
• 申請（專利權）人: 重慶雷士實業有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V5/08;F21V9/10;F21V19/00;F21V29/00;F21Y101/02
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 任海燕

1.一種半導體照明裝置，其特征在于，該半導體照明裝置的光源大體呈圓錐狀，其中該光源被置于一散熱裝置頂部，并被罩于一光學裝置中；所述散熱裝置在空間光分布范圍內的遮光角度小于50度，且所述光學裝置呈一側開口、非球形、旋轉對稱形態，所述光學裝置包括一頂散射區和一側散射區。

2.根據權利要求1所述的半導體照明裝置，其特征在于，所述光源包括一遠程熒光罩、多個設置在所述熒光罩底部內側的LED顆粒以及固定所述LED顆粒的基板，所述熒光罩上設置有遠程熒光粉用于激發光源；所述熒光罩大體呈圓錐狀，且其頂部呈圓弧過渡狀。

3.根據權利要求1所述的半導體照明裝置，其特征在于，所述散熱裝置包括：一基座，其采用導熱材料制成，所述基座側面形成有復數散熱片，所述散熱片整體呈向外凸起狀，所述散熱片靠近所述光學裝置的邊緣部位至其最大外圍的連線與半導體照明裝置的光學軸線的夾角小于25度并大于10度，且所述至少一片所述散熱片整體的最大外圍的直徑小于光學裝置的最大直徑。

4.根據權利要求2所述的半導體照明裝置，其特征在于，所述頂散射區和側散射區呈凸形圓弧狀；所述側散射區從頂散射區至光學裝置底部方向呈弧形過渡收口狀；所述光學裝置還定義了弧形過渡連接所述頂散射區和側散射區的凸形圓弧狀上過渡區，所述頂散射區和上過渡區在所述光學軸線上的投影的長度總和與側散射區在光學軸線上的投影的長度總和的比例在0.3~0.7之間，且側散射區在光學軸線上的投影的長度最長。

5.根據權利要求4所述的半導體照明裝置，其特征在于，所述光學裝置還定義了弧形過渡連接所述側散射區和光學裝置底部的凹形圓弧狀下過渡區，所述頂散射區和上過渡區在所述光學軸線上的投影的長度總和與側散射區和下過渡區在光學軸線上的投影的長度總和的比例在0.3~0.7之間，且側散射區在光學軸線上的投影的長度最長。

6.根據權利要求4所述的半導體照明裝置，其特征在于，所述熒光罩的頂端位于所述上過渡區內。

7.一種半導體照明裝置，其特征在于，包括：

一大體呈圓錐狀的遠程熒光罩，該熒光罩的頂部呈圓弧過渡狀；

多個設置在所述熒光罩底部內側的LED顆粒；

一非球形的、旋轉對稱的單件式光學裝置，該光學裝置罩在所述熒光罩上，并定義了凸形圓弧狀的頂散射區和側散射區；所述側散射區從頂散射區至光學裝置底部方向呈弧形過渡收口狀；?

一固定所述熒光罩和光學裝置的基座，所述基座外圍形成至少一片散熱片，所述至少一片散熱片整體呈向外凸起狀，散熱片靠近光學裝置的邊緣部位至其最大外圍的連線與半導體照明裝置的光學軸線的夾角小于25度并大于10度使基座在照射角全角范圍內的遮光角度小于40度，且所述至少一片散熱片整體的最大外圍的直徑小于光學裝置的最大直徑；以及

一固定在所述基座底部的電接頭；

其中，所述頂散射區、側散射區與散熱片配合使半導體照明裝置的照射角度至少達到270度。

8.根據權利要求7所述的半導體照明裝置，其特征在于，所述光學裝置還定義了弧形過渡連接所述頂散射區和側散射區的凸形圓弧狀上過渡區，所述頂散射區和上過渡區在所述光學軸線上的投影的長度總和與側散射區在光學軸線上的投影的長度總和的比例為0.3~0.7，且側散射區在光學軸線上的投影的長度最長。

9.根據權利要求7所述的半導體照明裝置，其特征在于，所述光學裝置還定義了弧形過渡連接所述側散射區和光學裝置底部的凹形圓弧狀下過渡區，以及弧形過渡連接所述頂散射區和側散射區的凸形圓弧狀上過渡區，所述頂散射區和上過渡區在所述光學軸線上的投影的長度總和與側散射區和下過渡區在光學軸線上的投影的長度總和的比例為0.3~0.7，且側散射區在光學軸線上的投影的長度最長。

10.根據權利要求8所述的半導體照明裝置，其特征在于，所述光學裝置為以下中的一種：（1）光學裝置上設置有漫反射材料；（2）所述光學裝置為透光擴散粒子制成；所述熒光罩的頂端位于所述上過渡區內。