[實用新型]一種液晶面板以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201220192434.2
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN202563217U
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 董霆;王丹;張洪林;趙合彬;陳玉瓊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;鄧伯英

技術領域

本實用新型屬于顯示器技術領域，具體涉及一種液晶面板以及包含該液晶面板的顯示裝置。

背景技術

液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，簡稱LCD)中的主要構成部件是液晶面板，液晶面板主要包括對盒設置的彩膜基板和陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板之間為液晶盒，通過將液晶填充在液晶盒內而構成液晶層，彩膜基板和陣列基板的各一側還分別設置有一片偏振片。在液晶面板中還設置有用于產生電場的電極，根據電極的結構設置可以決定液晶的光學性質。當電極間不加電壓(即電壓為零)的時候，液晶分子平躺在與該液晶面板的板面平行的方向，此時液晶分子的長軸方向與該液晶面板的板面方向平行；當在電極上施加電壓的時候，液晶分子逐漸開始“站立起來”，即液晶分子的長軸方向與液晶面板的板面方向開始傾斜，隨著液晶層兩端電壓的增加，液晶分子開始旋轉，當電壓足夠大的時候，液晶分子可以旋轉到與該液晶面板的板面垂直的方向。即在加壓情況下，液晶分子在電壓的驅動下偏轉不同的角度，可以使得設置在液晶面板后的背光源發出的光線透過液晶，并照射在屏幕上而形成圖像。

目前，為了解決具有大尺寸、高清晰度的液晶顯示器的應用，開發了廣視角技術，即高級超維場轉換技術(ADvanced?Super?Dimension?Switch，簡稱ADS)，其通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優點。

圖1為ADS型液晶面板中液晶分子在電場作用下的偏轉示意圖。如圖1所示，ADS型液晶面板中，彩膜基板包括第一基板2和設置在第一基板2上的濾色膜層3，陣列基板包括第二基板8、以及設置在第二基板8上的TFT陣列(圖中未標示)、第一公共電極(相當于板狀電極)6、絕緣層5和具有圖案的像素(Pixel)電極(相當于狹縫電極)4，彩膜基板遠離陣列基板的一側設置有第一偏振片1，陣列基板遠離彩膜基板的一側設置有第二偏振片9，所述第一偏振片1與第二偏振片9的透過軸互相垂直設置。在ADS型液晶面板的工作過程中，通過控制施加在像素電極4以及第一公共電極6之間的電壓大小來形成多維電場，以使液晶分子在液晶盒內發生偏轉，從而得到圖像。ADS型液晶面板具有視角寬、速度快、色偏低等優點。具體的，在不加電壓的情況下，由第二偏振片9入射的光經過液晶而偏振態不發生變化，直接被第一偏振片1吸收，形成暗態；在加電壓的情況下，電場對液晶分子產生作用力，液晶分子發生偏轉，從而實現亮態。然而，加電壓時，如圖1所示，電場中除了具有電極邊緣的橫向(水平)分量，還存在電極上方的垂直分量，橫向分量使液晶分子發生面內偏轉，即液晶分子在與液晶面板的板面平行的平面內旋轉，垂直分量使液晶分子發生傾斜，即使得液晶分子的長軸方向與液晶面板的板面方向發生傾斜，最終導致液晶在多維電場的影響下在發生偏轉的情況下，不再是純粹的在進行面內旋轉，從而導致電極邊緣處光的透過率低，同時也使得液晶分子的響應時間延長。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對現有技術中ADS型液晶面板存在的上述不足，提供一種液晶面板以及包含該液晶面板的顯示裝置，該液晶面板的光透過率高、且液晶分子響應速度快。

解決本實用新型技術問題所采用的技術方案是該液晶面板包括對盒設置的彩膜基板和陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板之間填充有液晶，所述陣列基板中包括有第一公共電極和像素電極，所述第一公共電極和像素電極在液晶面板中產生多維電場，其中，所述彩膜基板中包括有第二公共電極，所述第二公共電極使液晶面板中電場的垂直分量減弱。

優選的是，所述陣列基板中還包括有絕緣層，所述絕緣層設置在第一公共電極和像素電極之間，所述像素電極包括多個條狀電極，所述多個條狀電極間隔設置在所述絕緣層上，所述彩膜基板中還包括有濾色膜層，所述第二公共電極設置在所述濾色膜層上。

進一步優選的是，所述第二公共電極包括多個條狀電極，所述多個條狀電極間隔設置在濾色膜層上，所述第二公共電極在濾色膜層上的位置與像素電極在絕緣層上的位置相互交錯。

優選的是，所述第二公共電極中多個條狀電極的寬度和長度分別與所述像素電極中多個條狀電極的形狀相同，其寬度和長度均相等。