[實用新型]鍍膜靜電消除裝置

有效

• 申請號: 201220190393.3
• 申請日: 2012-05-02
• 公開（公告）號: CN202705450U
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 王創茂
• 申請（專利權）人: 福建泰興特紙有限公司
• 主分類號: C23C14/00
• 分類號: C23C14/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型屬于鍍膜技術領域，具體涉及一種鍍膜靜電消除裝置。

背景技術

鍍鋁產品膜上均附帶靜電離子，因原材料、涂層及環境溫度、濕度等因素影響，鍍鋁時產生放靜電火光使產品變形、膜鄒及黑線條等現象，且在BOPP轉移膜等非極性塑料薄膜上鍍鋁時會產生靜電樹紋，常用解決方法是增加一道電暈機處理，而增加電暈機后會使膜變形，速度只能達到60M/MIN，造成產品合格率與效率低下。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題便是針對上述現有技術的不足，提供一種鍍膜靜電消除裝置，可有效解決鍍鋁產品變形、膜鄒及黑線條等現象，提高產品合格率及生產效率。

本實用新型所采用的技術方案是：一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室內設有放卷氣漲軸、導輥和鍍膜輥，所述放卷氣漲軸上有原膜，所述原膜穿過導輥進入鍍膜輥后收卷，所述真空鍍膜室內安裝有陽極膜線性離子源，該陽極膜線性離子源的正面發射溝道朝向所述原膜所在平面，所述陽極膜線性離子源連接高純氬氣瓶。

作為優選，所述陽極膜線性離子源為CDNY-YJM1000。

作為優選，所述陽極膜線性離子源的正面發射溝道上安裝擋板。

作為優選，所述陽極膜線性離子源安裝在放卷氣漲軸與第一根導輥之間的原膜下方平行間距≥200mm以上。

作為優選，所述陽極膜線性離子源的陰陽電極連接至離子源控制柜。

作為優選，所述離子源控制柜上設有質量流量計。

作為優選，所述質量流量計為日本山武質量流量計MPC9200BBRSW10000。

作為優選，所述陽極膜線性離子源上連接冷卻水源。

作為優選，所述陽極膜線性離子源與所述高純氬氣瓶之間安裝減壓閥。

本實用新型的有益效果在于：本實用新型通過陽極膜線性離子源解決了鍍鋁產品變形、膜鄒及黑線條等現象，使復合膜合格率83%提高到94%以上，并且解決了BOPP轉移膜的靜電樹紋，無需增加電暈機處理，避免膜變形，可有效去除膜表面的有機污染物及氧化層，直接聯機處理速度可達到350M/MIN以上，提高生產效率及產品質量合格率。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖；

圖2為本實用新型側視圖。

圖中：1、真空鍍膜室；2、放卷氣漲軸；3、導輥；4、原膜；5、高純氬氣瓶；6、離子源控制柜；7、冷卻水源；8、質量流量計；9、陽極膜線性離子源；10、擋板；11、鍍膜輥。

具體實施方式

下面將結合附圖及具體實施例對本實用新型作進一步詳細說明。

實施例一：如圖1和圖2所示，一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室1，所述真空鍍膜室1內設有放卷氣漲軸2、導輥3和鍍膜輥11，所述放卷氣漲軸2有原膜4，所述原膜4先經過陽極膜線性離子源9處理后穿入導輥3進入鍍膜輥11再到收卷，所述真空鍍膜室1內安裝有陽極膜線性離子源9，該陽極膜線性離子源9的正面發射溝道朝向所述原膜4所在平面，如圖2所示，所述陽極膜線性離子源9安裝在放卷氣漲軸2與第一根導輥3之間的原膜4下方平行≥200mm位置，本實施例的陽極膜線性離子源9為CDNY-YJM1000離子源。

所述陽極膜線性離子源9連接高純氬氣瓶5，以接入高純氬氣，所述陽極膜線性離子源9與所述高純氬氣瓶5之間安裝減壓閥，將壓力控制在2.0Mpa。所述陽極膜線性離子源9的陰陽電極連接至離子源控制柜6，本實施例采用CDNY-DCM05控制柜，所述離子源控制柜6上設有質量流量計8，本實施例采用日本山武質量流量計MPC9200BBRSW10000，用于控制離子能量大小及真空度（下室為8.0*10-2Pa，上室為5.0*10-1Pa）。所述陽極膜線性離子源9上連接冷卻水源7，通18-28℃冷卻水散熱離子源磁場熱能，控制頻率、占空比、電流、電壓及流量大小。

所述陽極膜線性離子源9的陰陽電極線與高純氬氣瓶5和冷卻水源7的連接線均由∮48mm高真空波紋管導出真空鍍膜室1，為避免漏真空，所述高真空波紋管通過法蘭與密封墊圈與所述真空鍍膜室1相連。

所述陽極膜線性離子源9正面發射溝道上安裝有擋板10，所述擋板10通過不銹鋼支架連接。