[實用新型]串聯(lián)電容的動態(tài)均壓電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220187534.6
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN202694195U
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳海;施彥紅
• 申請（專利權(quán)）人: 臺安科技(無錫)有限公司
• 主分類號: G05F1/46
• 分類號: G05F1/46
• 代理公司: 無錫華源專利事務(wù)所 32228
• 代理人: 孫力堅

1.一種串聯(lián)電容的動態(tài)均壓電路，其特征在于：包括分別與串聯(lián)電容的正極、串聯(lián)電容的負(fù)極、串聯(lián)電容的中心點相連接的第一端子（P）、第二端子（N）以及第三端子（Mid），還包括相互并聯(lián)的電容（C1）和穩(wěn)壓二極管（ZD1）；所述穩(wěn)壓二極管（ZD1）的正極與N溝道MOSFET（Q1）的源極相連接，并作為所述第三端子（Mid）；所述穩(wěn)壓二極管（ZD1）的負(fù)極與N溝道MOSFET（Q1）的柵極相連接；所述第二端子（N）通過第一電阻組（R1~R3）與穩(wěn)壓二極管（ZD1）的負(fù)極相連接，并通過第二電阻組（R4~R6）與穩(wěn)壓二極管（ZD1）的正極相連接；所述第一端子（P）通過第三電阻組（R7~R9）與穩(wěn)壓二極管（ZD1）的負(fù)極相連接，并通過第四電阻組（R10~R12）與N溝道MOSFET（Q1）的漏極相連接；

第一端子（P）和第三端子（Mid）之間的電解電容的內(nèi)阻抗（R(C2)）>第二端子（N）和第三端子（Mid）之間的電解電容的內(nèi)阻抗（R(C3)）//?第二電阻組（R4~R6）的阻值；

第二端子（N）和第三端子（Mid）之間的電解電容的內(nèi)阻抗（R(C3)）//第二電阻組（R4~R6）的阻值?>?第一端子（P）和第三端子（Mid）之間的電解電容的內(nèi)阻抗（R(C2)）//?第四電阻組（R10~R12）的阻值；

第一電阻組（R1~R3）的阻值?=?第三電阻組（R7~R9）的阻值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述串聯(lián)電容的動態(tài)均壓電路，其特征在于：所述第一電阻組（R1~R3）由三個阻值為150KΩ的電阻串聯(lián)構(gòu)成；所述第二電阻組（R4~R6）由三個阻值為100KΩ的電阻串聯(lián)構(gòu)成；所述第三電阻組（R7~R9）由三個阻值為150KΩ的電阻串聯(lián)構(gòu)成；所述第四電阻組（R10~R12）由三個阻值為47KΩ的電阻串聯(lián)構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述串聯(lián)電容的動態(tài)均壓電路，其特征在于：所述穩(wěn)壓二極管（ZD1）的型號為RLZ20B。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述串聯(lián)電容的動態(tài)均壓電路，其特征在于：所述N溝道MOSFET（Q1）的型號為2SK3564。