[實用新型]采用Bipolar低壓工藝實現的器件

有效

• 申請號: 201220184951.5
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN202513159U
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 李小鋒;韓健;張佼佼;王鐸
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司;杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L23/50;H01L27/082
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種采用Bipolar低壓工藝實現的器件，所述采用Bipolar低壓工藝實現的器件包括低壓器件區域和耐高壓器件區域，其特征在于：

所述低壓器件區域和耐高壓器件區域均包括：

半導體襯底和位于其上的外延層；

埋層和下隔離區，所述埋層和下隔離區位于所述半導體襯底和外延層相接處；

上隔離區，所述上隔離區位于所述下隔離區上的外延層中，所述上隔離區與所述下隔離區相連；

集電區、基區和發射區，所述集電區、基區和發射區位于所述外延層中，所述發射區位于所述基區中，所述集電區與所述埋層相連；

表面輕摻雜層，所述表面輕摻雜層位于所述低壓器件區域的外延層表面和所述耐高壓器件區域中下隔離區外圍的外延層表面；

所述耐高壓器件區域還包括有輕摻雜區，所述輕摻雜區位于上隔離區的上方的外延層中，所述輕摻雜區與上隔離區相連并向所述基區方向延伸。

2.如權利要求1所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，所述采用Bipolar低壓工藝實現的器件還包括：

第一互連層，位于所述外延層上，包括第一層間介質層、第一互連線，所述第一層間介質層在所述基區、集電區、發射區上形成有若干第一接觸孔，第一互連線通過第一接觸孔與所述基區、集電區、發射區相連；

第二互連層，位于所述第一互連層上，包括第二層間介質層、第二互連線和鈍化層，在所述第二層間介質層上形成有若干第二接觸孔，所述第二互連線通過第二接觸孔與所述第一互連線相連，所述鈍化層位于所述第二互連線上；

所述耐高壓器件區域還包括有地極引線和氮化硅層，所述地極引線通過第一接觸孔與所述輕摻雜區相連，所述氮化硅層位于所述第一層間介質層上；

在所述耐高壓器件區域中，所述集電區環繞所述基區設置，所述基區、集電區和發射區均由所述第二互連線引出；在所述低壓器件區域中，所述基區、集電區和發射區由所述第二互連線或第一互連線引出。

3.如權利要求2所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，所述鈍化層包括氮化硅薄膜層。

4.如權利要求2所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，在所述耐高壓器件區域中，所述地極引線朝向所述集電區的一側超出所述輕摻雜區。

5.如權利要求3所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，在所述耐高壓器件區域中，所述地極引線朝向所述集電區的一側超出所述輕摻雜區的寬度大于3μm，所述地極引線到所述集電區的距離小于所述集電區到所述輕摻雜區的距離一半。

6.如權利要求1所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，所述外延層厚度為2.5μm～4μm，所述外延層電阻率為1.0Ω·cm～2.2Ω·cm。

7.如權利要求1所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，所述半導體襯底、下隔離區、上隔離區、輕摻雜區和基區的摻雜類型為P型，所述外延層、表面輕摻雜層、埋層、發射區和集電區的摻雜類型為N型。

8.如權利要求1所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，所述輕摻雜區的寬度大于上隔離區的寬度，所述輕摻雜區的表面濃度小于上隔離區的表面濃度。

9.如權利要求8所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，所述輕摻雜區的表面濃度比所述上隔離區的表面濃度低兩個數量級。

10.如權利要求1所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，在所述耐高壓器件區域中，所述輕摻雜區與所述集電區的水平距離大于8μm。

11.如權利要求1所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，在所述耐高壓器件區域中，所述輕摻雜區朝向所述集電區的一側超出所述上隔離區的寬度為0.5μm～2μm。

12.如權利要求1所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，在所述低壓器件區域中，所述上隔離區與所述集電區的水平距離為3μm～4μm，所述上隔離區與所述基區的水平距離為3μm～4μm。

13.如權利要求1所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，所述表面輕摻雜層的摻雜濃度高于所述外延層的摻雜濃度。

14.如權利要求13所述的采用Bipolar低壓工藝實現的器件，其特征在于，所述表面輕摻雜層的濃度比所述外延層的摻雜濃度高一個數量級。