[實用新型]功率金氧半導體場效晶體管

有效

• 申請號: 201220183028.X
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN202633320U
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 劉莒光
• 申請（專利權）人: 杰力科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，具有一有源區、一柵極母線區以及一終端區，包括：

一基板；

多個導電溝渠，位于該基板中；

多個阱區，配置在該基板內；以及

一介電層，配置在該些導電溝渠的表面，

所述功率金氧半導體場效晶體管還包括：至少一終端結構，該至少一終端結構包括：

至少一個所述導電溝渠；

多個所述阱區，配置在該終端區內并借助于該些導電溝渠互相電性隔離；

一場效電板，配置在該終端區內的所述導電溝渠與所述阱區上，其中該場效電板是由一電板金屬與該介電層所構成；

一接觸栓塞，穿過該介電層連接該電板金屬與該些阱區其中之一，使該電板金屬通過該接觸栓塞而與被連接的該阱區等電位，而該些阱區與該些導電溝渠借助于該介電層而與該電板金屬電性耦合；以及

一重摻雜區，介于該接觸栓塞與被連接的該阱區之間。

2.根據權利要求1所述的功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，該基板為n型基板、該些阱區為p型阱區以及該重摻雜區為p+區。

3.根據權利要求1所述的功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，該基板為p型基板、該些阱區為n型阱區以及該重摻雜區為n+區。

4.根據權利要求1所述的功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，該接觸栓塞所連接的該阱區橫跨該終端區、該柵極母線區與該有源區。

5.根據權利要求1所述的功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，該終端結構的所述阱區越靠近該有源區者，其電位越低；而越遠離該有源區者，其電位越高。

6.根據權利要求5所述的功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，該接觸栓塞所連接的該阱區為該終端結構的所述阱區中電位最低者。

7.根據權利要求1所述的功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，該至少一終端結構的數量大于1。

8.根據權利要求1所述的功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，還包括一封環區包圍該至少一終端結構。

9.根據權利要求1所述的功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，該些導電溝渠包括位于該至少一終端結構與該柵極母線區之間的該基板中。

10.根據權利要求1所述的功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，該些導電溝渠包括位于該至少一終端結構以外的該基板中。

11.根據權利要求1所述的功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，還包括多個摻雜區，配置在該些阱區與該介電層之間，其中位于該有源區內的該些摻雜區作為源極摻雜區。

12.一種功率金氧半導體場效晶體管，其特征在于，具有一有源區、一柵極母線區以及一終端區，包括：

一基板；

多個導電溝渠，位于該基板中；

多個阱區，配置在該基板內；以及

一介電層，配置在該些導電溝渠的表面，

所述功率金氧半導體場效晶體管還包括一第一終端結構與至少一第二終端結構，其中，

該第一終端結構包括：

一溝渠式柵極，位于該柵極母線區內；

至少一個所述導電溝渠，位于該溝渠式柵極旁；

多個所述阱區，借助于該些導電溝渠互相電性隔離；

一第一場效電板，配置在該溝渠式柵極、所述導電溝渠與所述阱區上，其中該第一場效電板是由一第一電板金屬與該介電層所構成；以及

一第一接觸栓塞，穿過該介電層連接該第一電板金屬與該溝渠式柵極，使該第一電板金屬通過該第一接觸栓塞而與該溝渠式柵極等電位，而該些阱區與該些導電溝渠借助于該介電層而與該第一電板金屬電性耦合；

該至少一第二終端結構包括：

至少一個所述導電溝渠；

多個所述阱區，配置在該終端區內并借助于該些導電溝渠互相電性隔離；

一第二場效電板，配置在未被該第一電板金屬覆蓋的所述阱區與所述導電溝渠上，其中該第二場效電板是由一第二電板金屬與該介電層所構成；

一第二接觸栓塞，穿過該介電層連接該第二電板金屬與該些阱區其中之一，使該第二電板金屬通過該第二接觸栓塞而與被連接的該阱區等電位；以及

一重摻雜區，介于該第二接觸栓塞與被連接的該阱區之間。