[實用新型]具有芯片使能信號擴展的存儲系統

有效

• 申請號: 201220182725.3
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN202632269U
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 倪勇
• 申請（專利權）人: 北京憶恒創源科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及存儲器、存儲系統領域。具體地，本實用新型涉及減少存儲器控制器的管腳數量，并提高存儲器控制器可操作的存儲器芯片的數量。

背景技術

隨著SSD（Solid-State?Drive，固態硬盤）技術的發展，由控制器和Flash芯片組成的存儲系統中需要容納越來越多的Flash芯片，而在單一Flash芯片內也通過可堆疊封裝技術包括了多個管芯（DIE）。基于NAND?FLASH的SSD技術在一個系統內使用具有多使能信號的多個NAND?FLASH?芯片來提高產品容量和性能。由于NAND?Flash芯片上的每個管芯都具有芯片使能（Chip?Enable,?CE）端口，并且在操作每個管芯時，要向其施加單獨的CE信號，以同存儲系統中的其它芯片/管芯的操作相區分，因而眾多的CE信號需要消耗存儲器控制器的大量的IO端口資源。

圖1為現有技術中NAND閃存控制器和NAND?閃存（FLASH）組成的SSD存儲系統的示意圖。圖1的存儲系統中其包闊一個或多個存儲器控制器101和多個閃存通道102、103，每個閃存通道上包括一片或多片閃存芯片（未示出）。在圖1的存儲系統中，還包括連接存儲器控制器101和閃存通道102上的多個閃存芯片或閃存管芯的芯片使能（CE）信號線，在圖1中用“閃存通道1-CE1”和“閃存通道1-CEn”指出，以及連接存儲器控制器101和閃存通道103上的多個閃存芯片或閃存管芯的芯片使能（CE）信號線，在圖1中用“閃存通道m-CE1”和“閃存通道m-CEn”指出。圖1的存儲系統還包括連接存儲器控制器101和閃存通道102、103的數據和除芯片使能信號線之外的控制信號線，在圖1中用“數據和控制”指出。在圖1的方案中，閃存通道102與103共用相同的“數據和控制”信號線。

圖1的例子中，一個存儲器控制器連接有m個閃存通道，當每個閃存通道上有1個閃存芯片，而每個Flash芯片包含n個管芯，并每個管芯具有自己的1個芯片選擇（CE）端口時，則存儲器控制器需要提供的CE信號的數量為n*m。這將至少消耗掉存儲器控制器數量為n*m的IO管腳資源，并增大了存儲系統電路的面積。

實用新型內容

提供了一種存儲系統，包括存儲器控制器，第一存儲器芯片，信號擴展器；

所述存儲器控制器耦合到所述信號擴展器；

所述第一存儲器芯片包括第一管芯與第二管芯，所述第一管芯具有第一使能端口，所述第二管芯具有第二使能端口；

所述信號擴展器連接到所述第一使能端口和所述第二使能端口，以向所述第一管芯和所述第二管芯發送獨立的使能信號。

還提供了一種存儲系統，包括存儲器控制器，第一存儲器芯片，第二存儲器芯片，信號擴展器；

所述存儲器控制器連接到所述信號擴展器；

所述第一存儲器芯片具有第一使能端口，所述第二存儲器芯片具有第二使能端口；

所述信號擴展器連接到所述第一使能端口和所述第二使能端口，以向所述第一存儲器芯片和所述第二存儲器芯片發送獨立的使能信號。

還提供了一種存儲系統，包括存儲器控制器、第一存儲器芯片、第二存儲器芯片以及信號擴展器；

所述存儲器控制器串行連接到所述信號擴展器；

所述第一存儲器芯片包括第一管芯與第二管芯；所述第二存儲器芯片包括第三管芯與第四管芯；

所述第一管芯具有第一使能端口，所述第二管芯具有第二使能端口，所述第三管芯第三使能端口，所述第四管芯具有第四使能端口；

[007]???所述信號擴展器連接到所述第一使能端口、所述第二使能端口、所述第三使能端口、所述第四使能端口，以向所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯和所述第四管芯發送獨立的使能信號。

附圖說明

當連同附圖閱讀時，通過參考后面對示出性的實施例的詳細描述，將最佳地理解本實用新型以及優選的使用模式和其進一步的目的和優點，其中附圖包括：

圖1是為現有技術中NAND閃存控制器和NAND?閃存組成的SSD存儲系統的示意圖；

圖2提供了本實用新型的第一實施例的存儲系統；

圖3是采用移位寄存器來擴展芯片使能（CE）信號的實施例的原理圖；

圖4是采用可編程邏輯器件來擴展芯片使能（CE）信號的實施例的原理圖。

具體實施方式