[實用新型]一種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜

有效

• 申請號: 201220180601.1
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN202640916U
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 郭先正
• 申請（專利權）人: 衛利凈化產品（上海）有限公司
• 主分類號: B32B27/32
• 分類號: B32B27/32;B32B15/09;B32B33/00
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 趙慧

技術領域

本實用新型涉及防靜電技術領域，特別涉及一種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜。

背景技術

超潔凈防靜電屏蔽膜廣泛應用于電子半導體行業、國防工業、記錄磁盤行業、纖維光學器件制造業、電信無線電通訊業、醫藥業、汽車制造業等涉及敏感電子元器件加工、包裝和封裝等領域，用于保護敏感電子元件內部和表面不受微顆粒、濕氣、靜電釋放和電磁干擾等傷害。

目前市場上通用的防靜電屏蔽膜，在微顆粒控制以及離子含量控制方面技術水平較低或者不作為控制項目，無法滿足某些行業中超潔凈的要求。

發明內容

針對上述現有技術存在的不足，本實用新型的目的是提供一種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，它具有超高的潔凈度，陰離子含量極低，可以有效防止陰離子與水分子結合而產生的具有強烈腐蝕作用的酸性物質，能最大限度的保護電子器件的安全。

為了實現上述目的，本實用新型所采用的技術方案是：

一種半透明超潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層、聚酯層、金屬鋁層與內表面靜電耗散層。

進一步地，所述外表面靜電耗散層與內表面靜電耗散層為具有靜電耗散性能的特殊聚乙烯層(PE)。

進一步地，所述外表面靜電耗散層與內表面靜電耗散層的電阻小于1×1011歐姆，金屬鋁層表面電阻小于100歐姆，靜電屏蔽小于50V。

進一步地，材料厚度為0.075mm，拉伸強度大于15N(TD&MD)，撕裂強度大于8N(TD&MD)，穿刺強度大于5N。

所述外表面靜電耗散層與內表面靜電耗散層主要作用是阻止屏蔽膜內外表面靜電的產生，提供釋放外部電荷的途徑，同時也能提供薄膜的熱封面以及物理性能。所述聚酯層(PET)提供材料的物理性能，所述金屬鋁(AL)提供法拉第籠原理的靜電屏蔽保護。

本實用新型的各項性能符合ANSI/ESD?S541，MIL-1686A，MIL-PRF-81705Rev?D，Type?III，GB-13022-91的相關要求。通過特定的抗靜電配方，使屏蔽膜潔凈度能夠滿足記錄磁盤行業的高標準要求，而且不含氨基化合物、硅油和酸二辛酯(DOP)，IC陰離子含量極低，氟離子(F^-)小于0.001μg/cm²，氯離子(Cl^-)小于0.001μg/cm²，亞硝酸根離子(NO₂^-)小于0.001μg/cm²，溴離子(Br^-)小于0.001μg/cm²，硝酸根離子(NO₃^-)小于0.009μg/cm²，磷酸根離子(PO₄^3-)小于0.001μg/cm²，硫酸根離子(SO₄^2-)小于0.001μg/cm²，總的陰離子含量小于0.012μg/cm²。與市場上普通的防靜電屏蔽膜相比，本實用新型的陰離子含量僅僅為幾十分之一，氟離子、氯離子、亞硝酸根離子、溴離子、磷酸根離子、硫酸根離子僅為十分之一，硝酸根離子僅是十四分之一，總的離子含量僅為十一分之一。同時，本實用新型也符合FTIR、RoHS、REACH、Halogen?Free、PFOS、PFOA和PVC等有害物質的限量要求。

本實用新型具有超高的潔凈度，陰離子含量極低，可以有效防止陰離子與水分子結合而產生的具有強烈腐蝕作用的酸性物質，最大限度的保護電子器件的安全。所具有的物理性能和防靜電性能，可以按包裝物的要求制作成各種形狀及尺寸，并且能夠達到抽真空包裝的要求。半透明性能可以查看包裝內部電子器件的外觀狀況，并且通過濕度指示卡觀察包裝袋內的濕度變化情況。本實用新型適用于環境有無塵要求的生產、包裝和測試等場合，符合磁頭、硬盤等對潔凈度有苛刻要求的高科技行業標準。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的結構示意圖；

圖中：1、外表面靜電耗散層；2、聚酯層；3、金屬鋁層；4、內表面靜電耗散層。

具體實施方式

下面結合實施例對本實用新型進行詳細描述，本部分的描述僅是示范性和解釋性的，不應對本實用新型的保護范圍有任何的限制作用。

實施例，見圖1所示：