[實用新型]發光二極管晶圓的減薄結構

有效

• 申請號: 201220178535.4
• 申請日: 2012-04-24
• 公開（公告）號: CN202572118U
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 陳孟端
• 申請（專利權）人: 正恩科技有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/30
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

技術領域

本實用新型涉及發光二極管晶圓，尤其涉及發光二極管晶圓的減薄結構。

背景技術

請參閱圖1所示，發光二極管晶圓1在制造完成之后，必須進行晶圓研磨作業，以減少厚度，而利于后續的晶圓切割、封裝等作業。

已知發光二極管晶圓1在研磨作業時，必須加以固定不動，然而發光二極管晶圓1的厚度相當的薄，請參閱圖2所示，其如使用一般半導體制程使用的真空吸附固定裝置2，為了滿足研磨時所需的固定強度，發光二極管晶圓1有可能因為吸附力過強而局部受壓，其會導致裂縫或破片，或者造成長晶面刮傷。

因此請參閱圖3與圖4所示，已知在進行研磨作業之前，一般為將多個發光二極管晶圓1利用固定臘3黏著固定于一工作臺4上，而保持發光二極管晶圓1不動，因此在使用研磨裝置5進行研磨時，可以利用固定臘3緊密貼附發光二極管晶圓1的表面并黏著于該工作臺4上，也即為利用固定臘3保護發光二極管晶圓1，以避免研磨頭6在減薄發光二極管晶圓1時，造成裂縫或破片。

然而此一固定方式，而在研磨及拋光作業完畢之后，必須使用鍬子將被固定臘2固定的發光二極管晶圓1翹出，此一作業若施力稍有不當，極易使發光二極管晶圓1產生破片或裂縫，其為目前發光二極管晶圓1提升制程良率的瓶頸之一。

顯然已知固定發光二極管晶圓1進行減薄作業的方式，易成為制程良率的瓶頸，無法滿足使用上的需要。

實用新型內容

于是，本實用新型的主要目的在于披露一種發光二極管晶圓的減薄結構，其可保護發光二極管晶圓，避免發光二極管晶圓在減薄過程中，因局部受力過大而產生裂縫、破片或長晶面刮傷。

基于上述目的，本實用新型為一種發光二極管晶圓減薄結構，用于減薄一發光二極管晶圓，其包含一真空吸附裝置、一保護黏貼膜與一研磨裝置，其中該真空吸附裝置具有一吸氣面，該吸氣面設置有多個提供負壓的吸氣孔，而該保護黏貼膜具有一黏貼面與一被吸附面，且該黏貼面黏貼該發光二極管晶圓，而該被吸附面貼附于該吸氣面上并覆蓋該吸氣孔，以使該發光二極管晶圓間隔該保護黏貼膜而被該真空吸附裝置吸附，又該研磨裝置具有一研磨頭，該研磨頭旋轉接觸該發光二極管晶圓以減薄該發光二極管晶圓。

進一步地，保護黏貼膜的尺寸對應所述發光二極管晶圓的尺寸而設置。

進一步地，保護黏貼膜的尺寸對應真空吸附裝置的吸氣面的尺寸而設置，而發光二極管晶圓具有多個且發光二極管晶圓散布黏貼在黏貼面上。

據此，本實用新型相較現有技術的優點在于，由于該保護黏貼膜為完整的黏貼于該發光二極管晶圓的底部，且該保護黏貼膜為具有韌性的材質，因此可以增加該發光二極管晶圓的結構強度，而保護該發光二極管晶圓，而可以避免該發光二極管晶圓的邊緣因為受力過大而破裂，造成該發光二極管晶圓的損傷，或者可以避免造成長晶面刮傷，而形成一種高良率的發光二極管晶圓減薄結構，可滿足使用上的需要。

附圖說明

圖1為已知發光二極管晶圓結構圖。

圖2為已知發光二極管晶圓固定示意圖。

圖3為另一已知發光二極管晶圓固定示意圖。

圖4為另一已知發光二極管晶圓減薄示意圖。

圖5為本實用新型結構分解圖。

圖6為本實用新型結構組合圖。

圖7為本實用新型另一實施結構分解圖。

具體實施方式

有關本實用新型的詳細說明及技術內容，現就配合圖式說明如下：

請參閱圖5與圖6所示，本實用新型為一種發光二極管晶圓的減薄結構，用于減薄一發光二極管晶圓10，其包含一真空吸附裝置20、一保護黏貼膜30A與一研磨裝置40，其中該真空吸附裝置20具有一吸氣面21，該吸氣面21設置多個提供負壓的吸氣孔22，該真空吸附裝置20可以內藏空氣泵(圖未示)，以利用空氣泵排出氣體而達成真空狀態，以于該多個吸氣孔22處提供負壓。

該保護黏貼膜30A具有一黏貼面31與一被吸附面32，該保護黏貼膜30A為具有韌性的塑料薄膜，如可以使用PVC薄膜加以涂上黏膠而制成。且該黏貼面31黏貼該發光二極管晶圓10，而該被吸附面32貼附于該吸氣面21上，并覆蓋該吸氣孔22，以使該發光二極管晶圓10間隔該保護黏貼膜30A被該真空吸附裝置20吸附。該研磨裝置40具有一研磨頭41，該研磨頭41旋轉接觸該發光二極管晶圓10而減薄該發光二極管晶圓10。