[實用新型]一種上電復位電路

有效

• 申請號: 201220171269.2
• 申請日: 2012-04-20
• 公開（公告）號: CN202550987U
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 呂海鳳;周文益;趙國良;羅陽;孫黎斌
• 申請（專利權）人: 西安華迅微電子有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22
• 代理公司: 西安西交通盛知識產權代理有限責任公司 61217
• 代理人: 陳翠蘭

1.一種上電復位電路，包括三部分電路，其特征在于，所述三部分電路中第一電源電壓延遲產生電路(100)與第二電源電壓延遲產生電路(200)分別與復位信號脈沖產生電路(300)相接；

所述第一電源電壓延遲產生電路(100)包括：

第一偏置電壓產生電路(1)，它的一端接電源，一端接地，另一端與第三MOS晶體管(M3)的柵端相連；

第一MOS晶體管(M1)，其源端連接到電源，柵端與自身的漏端相連，并連接到第二MOS晶體管(M2)的源端；

第二MOS晶體管(M2)，其源端與所述第一MOS晶體管(M1)的漏端相連，柵端接地，漏端與第三MOS晶體管(M3)的漏端相連；

第三MOS晶體管(M3)，其源端接地，柵端與所述偏置電壓產生電路(1)的一端相連，漏端與第二MOS晶體管(M2)的漏端相連，同時連接到第四MOS晶體管(M4)的柵端；

第四MOS晶體管(M4)，其源端和漏端都與地相連，柵端與所述第三MOS晶體管(M3)的漏端相連；

第五MOS晶體管(M5)，其柵端與所述第四MOS晶體管(M4)的柵端相連，源端接電源，漏端與第六MOS晶體管(M6)的漏端相連；

第六MOS晶體管(M6)，其柵端與所述第四MOS晶體管(M4)的柵端相連，源端接地，漏端與第五MOS晶體管(M5)的漏端相連；

第一施密特觸發器(3)，其一端與第五MOS晶體管(M5)的漏端相連，另一端與復位信號脈沖產生電路(300)復位信號脈沖產生電路的異或電路(6)一端相連；

所述第二電源電壓延遲產生電路(200)包括：第二偏置電壓產生電路(2)，第七MOS晶體管(M7)，第八MOS晶體管(M8)，第九MOS晶體管(M9)，第十MOS晶體管(M10)，第十一MOS晶體管(M11)，第十二MOS晶體管(M12)和第二施密特觸發器(4)；所述第二電源電壓延遲產生電路200)與第一電源電壓延遲產生電路(100)電路結構相同；

所述第三復位信號脈沖產生電路300)包括：

第一反向器電路(5)，輸入端與第二電源電壓延遲產生電路(200)的施密特電路的輸出端相連，輸出端與異或電路(6)的一輸入端相連；

異或電路(6)，兩輸入端分別與第一電源電壓延遲產生電路(100)的輸出端和第一反向器電路(5)的輸出端相連，輸出端連接到第二反向器電路(7)的輸入端；

第二反向器電路(7)，其輸入端連接到異或電路(6)的輸出端，輸出端連接到第三反向器電路(8)的輸入端；

第三反向器電路(8)，其輸入端連接到第二反向器電路(7)的輸出端，輸出端連接到電路外部。

2.根據權利要求1所述的一種上電復位電路，其特征在于：所述第十MOS晶體管(M10)的電容量大于第四MOS晶體管(M4)的電容量。

3.根據權利要求1所述的一種上電復位電路，其特征在于：所述第一偏置電壓產生電路(1)和第二偏置電壓產生電路(2)是由PMOS晶體管和NMOS晶體管組成。

4.根據權利要求1所述的一種上電復位電路，其特征在于：所述第一電源電壓延遲產生電路(100)中的第三MOS晶體管(M3)和第二電源電壓延遲產生電路(200)中的第九MOS晶體管(M9)能在導通和斷開兩種狀態中轉換。