[實用新型]脈沖功率晶閘管

有效

• 申請號: 201220170243.6
• 申請日: 2012-04-20
• 公開（公告）號: CN202633316U
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 顏家圣;張橋;劉小俐;肖彥;吳擁軍
• 申請（專利權）人: 湖北臺基半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/08
• 代理公司: 襄陽嘉琛知識產權事務所 42217
• 代理人: 嚴崇姚

1.一種脈沖功率晶閘管，屬于大功率半導體開關器件，包括管殼和封裝在該管殼內的PNPN四層三端結構的半導體芯片，四層為P1陽極區、N1長基區、P2短基區和N2陰極區，三個端子分別為陽極A、陰極K和門極G，其特征是：所述的N2陰極區位于以P2短基區中心為圓心的圓環形區域內，且在N2陰極區內形成相互隔離的陰極小元胞，該各陰極小元胞并聯形成陰極K；門極G位于N2陰極區的中心處。

2.根據權利要求1所述的脈沖功率晶閘管，其特征在于：所述的陰極小元胞的形狀和尺寸是相同的，在N2陰極區內表面均勻排列。

3.根據權利要求1或2所述的脈沖功率晶閘管，其特征在于：所述的陰極小元胞在N2陰極區內表面呈同心圓分層排列。

4.根據權利要求1或2所述的脈沖功率晶閘管，其特征在于：所述的各陰極小元胞是通過挖槽刻蝕芯片表面PN結成形的。

5.根據權利要求1或2所述的脈沖功率晶閘管，其特征在于：所述的芯片陽極區P1的雜質濃度高于P2區，P1區的結深比P2區淺。