[實用新型]具有過壓保護的半導體器件及基于該器件的雙向極性器件有效

申請號：	201220168538.X	申請日：	2012-04-20
公開（公告）號：	CN202585416U	公開（公告）日：	2012-12-05
發明（設計）人：	謝可勛;西里奧艾珀里亞科夫	申請（專利權）人：	謝可勛;浙江美晶科技有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H01L29/06
代理公司：	湖州金衛知識產權代理事務所(普通合伙) 33232	代理人：	趙衛康
地址：	313000 浙江省***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有保護半導體器件基于器件雙向極性
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【權利要求書】：

1.一種具有過壓保護的半導體器件，其特征在于，它包括：

呈第一導電類型的襯底（10），

設于所述襯底（10）上部的至少兩個呈第二導電類型的第一區域（11）,

設于所述第一區域（11）上部的呈第一導電類型的第二區域（13）；

每個第一區域（11）的上部至少設有一個第二區域（13）;所述襯底（10）在相鄰第一區域（11）之間形成第一開口區域（12）；每個第一開口區域（12）處都設有一個連接所述襯底（10）及相鄰第一區域（11）的呈第二導電類型的第三區域（14）；

所述襯底（10）的下部設有呈第二導電類型的第四區域（15）；所述第三區域（14）上方設有第一絕緣層（16），且所述相應第一絕緣層（16）沿相應第三區域（14）的兩側延伸并覆蓋部分第一區域（11）；第二區域（13）與第一區域（11）都連接有第一金屬接觸（17）;所述第四區域（15）連接有第二金屬接觸（18）。

2.一種具有過壓保護的雙向極性半導體器件，其特征在于，它包括：

呈第一導電類型的襯底（10），

設于所述襯底（10）上部的至少兩個呈第二導電類型的第一區域（11），

設于所述襯底（10）下部的至少兩個呈第二導電類型的第五區域（19），

設于所述第一區域（11）上部的呈第一導電類型的第二區域（13），

設于所述第五區域（19）下部的呈第一導電類型的第六區域（20）;

每個第一區域（11）的上部至少設有一個第二區域（13）;每個第五區域（19）的下部至少設有一個第六區域（20）；

所述襯底（10）在相鄰第一區域（11）之間形成第一開口區域（12）；每個第一開口區域（12）處都設有一個連接所述襯底（10）及相鄰第一區域（11）的呈第二導電類型的第三區域（14）；

所述襯底（10）在相鄰第五區域（19）之間形成第二開口區域（21）；每個第二開口區域（21）處都設有一個連接所述襯底（10）及相鄰第五區域（19）的呈第二導電類型的第七區域（22）；

所述第三區域（14）上方設有第一絕緣層（16），且所述相應第一絕緣層（16）沿相應第三區域（14）的兩側延伸并覆蓋部分第一區域（11）；

所述第七區域（22）的下方設有第二絕緣層（23），且所述相應第二絕緣層（23）沿相應第七區域（22）的兩側延伸并覆蓋部分第五區域（19）；

第二區域（13）與第一區域（11）都連接有第一金屬接觸（17）;第五區域（19）與第六區域（20）都連接有第三金屬接觸（24）。