[實用新型]具有過壓保護的半導體器件及基于此器件的雙向極性器件有效
| 申請號： | 201220168523.3 | 申請日： | 2012-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN202585422U | 公開（公告）日： | 2012-12-05 |
| 發明（設計）人： | 謝可勛;西里奧艾珀里亞科夫 | 申請（專利權）人： | 謝可勛;浙江美晶科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/45 | 分類號： | H01L29/45;H01L29/06 |
| 代理公司： | 湖州金衛知識產權代理事務所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 趙衛康 |
| 地址： | 313000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 保護 半導體器件 基于 器件 雙向 極性 | ||
1.一種具有過壓保護的半導體器件，其特征在于，它包括?呈第一導電類型的襯底（9），
設于所述襯底（9）上部呈第二導電類型的第一區域（10），
設于所述第一區域（10）上部且呈第一導電類型的多個第二區域（11），
設于所述襯底（9）下表面且呈第二導電類型的第三區域（14），
連接于第一區域（10）、第二區域（11）的第一金屬接觸（15），
連接于所述第三區域（14）的第二金屬接觸（16）；
所述襯底（9）在與第一區域（10）的下表面交界處具有多個起伏區域（13）；每個所述起伏區域（13）都對應于相應的第二區域（11）之間。
2.根據權利要求1所述的一種具有過壓保護的半導體器件，其特征在于，每個所述起伏區域（13）都對應位于相應的兩個第二區域（11）之間的正中。
3.一種具有過壓保護的雙向極性半導體器件，其特征在于，它包括?呈第一導電類型的襯底（9），
設于所述襯底（9）上部且呈第二導電類型的第一區域（10），
設于所述襯底（9）下部且呈第二導電類型的第四區域（17），
設于所述第一區域（10）上部且都呈第一導電類型的多個第二區域（11），
設于所述第四區域（17）下部且都呈第一導電類型的多個第五區域（18），
連接于第一區域（10）、第二區域（11）的第一金屬接觸（15），
連接于第四區域（17）、第五區域（18）的第三金屬接觸（19）；
所述襯底（9）在與第一區域（10）的下表面交界處具有多個起伏區域（13）；所述襯底（9）在與第四區域（17）的上表面交界處具有多個凹陷區域（20）；每個所述起伏區域（13）都對應于相應的第二區域（11）之間；每個所述凹陷區域（20）都對應于相應的第五區域（18）之間。
4.?根據權利要求3所述的一種具有過壓保護的雙向極性半導體器件，其特征在于，每個所述起伏區域（13）都對應位于相應的兩個第二區域（11）之間的正中；每個所述凹陷區域（20）都對應位于相應的兩個第五區域（18）之間的正中。
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