[實用新型]一種加熱裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220166294.1
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN202604596U
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邢鳳雷
• 申請（專利權(quán)）人: 美的集團(tuán)有限公司
• 主分類號: A47J36/24
• 分類號: A47J36/24;A47J37/06
• 代理公司: 佛山市科順專利事務(wù)所 44250
• 代理人: 梁紅纓

技術(shù)領(lǐng)域

?本實用新型涉及一種加熱裝置。

背景技術(shù)

目前，市面上銷售的各種家用烹飪電器，如煎烤機(jī)及電飯煲等，大多發(fā)熱管固定在發(fā)熱盤或烤盤的底部位置，發(fā)熱盤或烤盤對食物進(jìn)行加熱烹飪。如圖1、圖2所示，發(fā)熱管5固定在烤盤6的結(jié)構(gòu)示意圖，發(fā)熱管5在傳熱體6上有發(fā)熱管投影區(qū)Z，烤盤6整體的厚度大致相同，靠近發(fā)熱管投影區(qū)的區(qū)域的熱傳遞比遠(yuǎn)離發(fā)熱管投影區(qū)的區(qū)域的熱傳遞高。如烤盤6上具有代表性的幾個點：烤盤中心點1、發(fā)熱管內(nèi)側(cè)點2、發(fā)熱管外側(cè)點3和烤盤邊緣點4，這四個點分別對應(yīng)烤盤的厚度為h1、h2、h3、h4，分別與發(fā)熱管投影區(qū)的最短距離為l1、l2、l3、l4，發(fā)熱管內(nèi)側(cè)點2及發(fā)熱管外側(cè)點3與發(fā)熱管投影區(qū)的距離相同且最近，烤盤邊緣點4與發(fā)熱管投影區(qū)的距離較遠(yuǎn)，烤盤中心點1與發(fā)熱管投影區(qū)的距離最遠(yuǎn)，l1＞l4＞l2=l3，但這四個點的烤盤厚度h1、h2、h3、h4基本相同，導(dǎo)致加熱裝置在發(fā)熱過程中產(chǎn)生熱量傳遞不均勻，發(fā)熱管內(nèi)側(cè)點2及發(fā)熱管外側(cè)點3的熱傳遞最高，烤盤邊緣點4的熱傳遞次之，烤盤中心點1的熱傳遞最低，因此烤盤中心點1、發(fā)熱管內(nèi)側(cè)點2、發(fā)熱管外側(cè)點3和烤盤邊緣點4之間的溫度差異非常大，烹飪食物時容易發(fā)生食物部分燒焦或部分不熟的情況，影響烹飪效果。

根據(jù)熱傳導(dǎo)公式：Q＝λ*（T1-T2）*t*A/δ，其中λ是傳導(dǎo)媒介的導(dǎo)熱系數(shù)；δ是傳導(dǎo)媒介的長度；T1、T2是各個點的溫度；t是傳導(dǎo)時間；A是接觸面積，即傳導(dǎo)媒介的橫截面積。在相同條件下，橫截面積與傳輸?shù)臒崃砍烧取Ｈ绻黾觽鳠岬臋M截面積，即把烤盤的底部設(shè)計為相同的厚度且大幅度加厚，會提高烤盤的熱傳遞。但同時也會大量增加成本。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種傳熱均勻、低成本的加熱裝置。

本實用新型的技術(shù)方案是：一種加熱裝置，包括傳熱體和發(fā)熱管，所述發(fā)熱管固定于傳熱體的底部，發(fā)熱管在傳熱體上的垂直投影區(qū)為Z，其特征在于在所述傳熱體上位于投影區(qū)Z部位的厚度最厚，在傳熱體上遠(yuǎn)離投影區(qū)Z的厚度逐漸變薄。

所述傳熱體為烤盤或發(fā)熱盤。

本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點為：由于傳熱體上各點的截面厚度跟隨該點與發(fā)熱管的距離的擴(kuò)大而減小，使得越靠近發(fā)熱管的點的熱量傳導(dǎo)效果越好，有利于發(fā)熱管整體的熱傳導(dǎo)均勻，且成本低，提高了食物烹飪效果。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的烤盤的主視圖；

圖2為圖2的A-A剖面圖；

圖3為本實用新型實施例1的主視圖；?

圖4為圖3的B-B剖面圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明。

如圖3、4所示，一種加熱裝置，包括傳熱體6和發(fā)熱管5，所述發(fā)熱管5固定于傳熱體6的底部，發(fā)熱管5在傳熱體6上的垂直投影區(qū)為Z，本實用新型特點是在所述傳熱體6上位于投影區(qū)Z部位的厚度最厚，在傳熱體6上遠(yuǎn)離投影區(qū)Z的厚度逐漸變薄。例如，在傳熱體6上有采樣點1、采樣點2、采樣點3及采樣點4，采樣點1和采樣點2均位于投影區(qū)Z的內(nèi)側(cè)，采樣點1與投影區(qū)Z的內(nèi)側(cè)邊緣的直線距離為L1，采樣點2與投影區(qū)Z內(nèi)側(cè)邊緣的直線距離為L2，采樣點1處傳熱體6的橫截面高度為H1，采樣點2處傳熱體6的橫截面高度為H2，當(dāng)L1>L2時，H1<H2，這有利于熱傳導(dǎo)；采樣點3及采樣點4位于投影區(qū)Z的外側(cè)，采樣點3比采樣點4更靠近投影區(qū)Z的外側(cè)邊緣，采樣點3的厚度比采樣點4的厚度厚。這樣傳熱體6所使用的材料比較少，而且傳熱體6上溫度的均勻，有效改善食物的烹飪效果。

在本實施例中，所述傳熱體6為烤盤或發(fā)熱盤。

工作時，由于在傳熱體6上靠近發(fā)熱管5越近的點的厚度越厚，遠(yuǎn)離發(fā)熱管5的傳熱體6的底部的厚度較薄，這有利于熱傳導(dǎo)。

但凡以通過以改變傳熱體6的底部的截面厚度來實現(xiàn)熱傳導(dǎo)的結(jié)構(gòu)均屬于本專利的保護(hù)范圍。