[實用新型]一種新型的GaN基發光二極管

有效

• 申請號: 201220165860.7
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN202797050U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 郝銳;馬學進;吳質樸
• 申請（專利權）人: 江門市奧倫德光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域：

本實用新型涉及一種新型的GaN基發光二極管。?

背景技術

當前，在全球氣候變暖問題日趨嚴峻的背景下，節約能源、減少溫室氣體排放成為全球共同面對的重要問題。以低能耗、低污染、低排放為基礎的低碳經濟，將成為經濟發展的重要方向。在照明領域，以LED(發光二極管)為代表的半導體發光產品，具有節能、環保，以及光源壽命長、體積小等優點，正吸引著世人的目光。?

目前氮化鎵基發光二極管的常規結構如圖1所示：包括襯底4、第一種N型半導體層1，控制發光波長的多量子阱層2，第二種P型半導體層3。多量子阱結構為InGaN/GaN的多周期循環結構，其中最后一個壘層與與前面的壘層為同樣的結構。?

對于GaN基LED來說，載流子的發光再復合主要集中在最后一個阱里。對于常規結構的LED來說，阱壘層的晶格失配和熱失配造成較強的壓應變作用，直接的后果導致電子載流子泄漏出量子阱、空穴注入量子阱困難、極化電場增強等問題，從而影響內量子效率和電流效率。?

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種GaN基發光二極管，既能夠提高器件的發光效率，又不影響器件的其它光電特性。?

為實現上述目的，本實用新型通過以下技術方案來實現的：提供一種新型的GaN基發光二極管，其中包括依次層疊的襯底、第一種半導體載流子注入層、多量子阱結構、多量子阱結構的最后一個量子壘(LQB)及第二種半導體載流?子注入層，所述的襯底可以是藍寶石，碳化硅，或硅，所述多量子阱結構的最后一個量子壘(LQB)為一層或多層GaN類及其合金材料的外延結構。?

本實用新型所提供的上述新型發光二極管與其他的結構相比，在于對多量子阱的最后一個量子壘層做了改進，能有效地緩釋多量子阱與P型層之間應力作用，改善空穴的注入效率，增加器件的內量子效率和電流效率，最終提高了發光二極管的發光效率。?

附圖說明：

圖1常規結構的GaN基發光二極管結構的剖面示意圖。?

圖2本實用新型的發光二極管的剖面示意圖。?

圖中：第一種N型半導體層1，控制發光波長的多量子阱層2，第二種P型半導體層3、包括襯底4、最后一個量子壘(LQB)5、常規GaN量子壘層10、常規InGaN量子阱層11?

具體實施方式

如圖2所示，本實用新型發光二極管包括依次層疊的襯底4、第一種半導體載流子注入層1、多量子阱結構2、多量子阱結構的最后一個量子壘(LQB)5及第二種半導體載流子注入層3，所述襯底4是藍寶石，碳化硅，或硅，所述最后一個量子壘(LQB)5為一層或多層GaN類及其合金材料的外延結構。?

本實用新型所提供的一種新型的GaN基發光二極管能夠緩釋多量子阱與P型層之間應力作用，改善空穴的有效注入，提高器件的內量子效率和電流效率。?