[實(shí)用新型]腦部電損毀電極有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220159329.9 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202619842U | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-12-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊上川;胡新天;江慧慧;馬原野 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院昆明動(dòng)物研究所 |
| 主分類號(hào): | A61B18/14 | 分類號(hào): | A61B18/14 |
| 代理公司: | 昆明科陽(yáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 53111 | 代理人: | 李行健 |
| 地址: | 650000 *** | 國(guó)省代碼: | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 腦部 損毀 電極 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬生命科學(xué)試驗(yàn)研究用裝置技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
腦部電損毀是生命科學(xué)領(lǐng)域研究腦功能的重要技術(shù)手段之一。目前,腦部電損毀所用電極的類型有同心圓電極、單極針狀電極和雙極針狀電極。這些電極共同的缺點(diǎn)是損毀區(qū)域范圍較小,而在需要損毀較大范圍的腦結(jié)構(gòu)時(shí)需要進(jìn)行多點(diǎn)損毀。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提供一種能損毀較大區(qū)域腦結(jié)構(gòu)的腦部電損毀電極。
本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)是包含有:
一導(dǎo)管;
一能插入導(dǎo)管的管塞,管塞一端設(shè)能限制插入導(dǎo)管之深度的限位頭;
一下段雖被彎折但具有彈性從而能插入導(dǎo)管的偏心電極,偏心電極另一端設(shè)能限制插入導(dǎo)管之深度的限位頭,
一針形電極,針形電極另一端設(shè)能限制插入導(dǎo)管之深度的限位頭;
管塞,偏心電極和針形電極能插入導(dǎo)管的長(zhǎng)度均大于導(dǎo)管長(zhǎng)度。
導(dǎo)管起引導(dǎo)作用,用于引導(dǎo)電極插入預(yù)訂位置;管塞用于在套管插入時(shí)堵塞導(dǎo)管,以減少對(duì)導(dǎo)管通過(guò)路徑上腦組織的損傷;偏心電極的偏心結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以讓露出導(dǎo)管的該電極下部距離導(dǎo)管中心的距離大于導(dǎo)管半徑,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)距導(dǎo)管中心較遠(yuǎn)距離處的腦組織損毀。
本實(shí)用新型的使用:首先將內(nèi)插有管塞的導(dǎo)管緩慢推進(jìn)至預(yù)損毀腦結(jié)構(gòu)的上表面,然后將管塞拔出,將偏心電極自導(dǎo)管上端放入并向下推動(dòng),在偏心電極下端將要露出導(dǎo)管時(shí)迅速插進(jìn),以便偏心電極憑借彈性到達(dá)預(yù)定位置。采用恒流源提供mA級(jí)的電流,按預(yù)定電流和時(shí)間對(duì)組織進(jìn)行損毀。每損毀完一個(gè)點(diǎn),將電極向上拔至導(dǎo)管內(nèi),旋轉(zhuǎn)一定角度,重新插入,再進(jìn)行損毀,使相鄰損毀區(qū)域相接(根據(jù)電極的尺寸和通電電流的參數(shù)選擇恰當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)角度),最終形成一個(gè)環(huán)形的損毀區(qū)域。將偏心電極自導(dǎo)管拔出,針形電極插入,用于損毀導(dǎo)管中心下部區(qū)域的組織。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):可以在一次性插入導(dǎo)管的情況下,對(duì)較大區(qū)域的腦結(jié)構(gòu)進(jìn)行電損毀。該裝置體積小,重量輕,操作過(guò)程簡(jiǎn)單,對(duì)其他部位腦組織的損傷較小,同時(shí)可以避免現(xiàn)有技術(shù)在損毀較大腦結(jié)構(gòu)時(shí)因多次插入所造成的出血概率增加。
附圖說(shuō)明
圖1為實(shí)施例中導(dǎo)管的主視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為實(shí)施例中管塞的主視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為實(shí)施例中偏心電極的主視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為實(shí)施例中針形電極的主視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5為實(shí)施例中偏心電極插入導(dǎo)管后的主視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
以下實(shí)例僅僅是對(duì)本實(shí)用新型做個(gè)舉例說(shuō)明。必須特別指出的是,本實(shí)用新型的技術(shù)方案和保護(hù)范圍并不受該實(shí)施例的局限。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例:見(jiàn)圖1~5。該實(shí)施例裝置由以下四個(gè)不銹鋼制成的部件組成:
導(dǎo)管1,長(zhǎng)40毫米,內(nèi)徑1.6毫米。導(dǎo)管1上部設(shè)有通孔10,其作用是若導(dǎo)管中有腦脊液或組織液,可以自通孔10排出。
管塞2,一端設(shè)能限制插入導(dǎo)管1之深度的限位頭3,管塞2能插入導(dǎo)管的長(zhǎng)度為43毫米。
偏心電極4,一端設(shè)能限制插入導(dǎo)管1之深度的限位頭5,偏心電極4能插入導(dǎo)管1的垂直長(zhǎng)度為43.5毫米;6為絕緣層。
針形電極7,一端設(shè)能限制插入導(dǎo)管1之深度的限位頭8,針形電極7能插入導(dǎo)管1的長(zhǎng)度為43.5毫米;9為絕緣層。
該裝置可用于損毀一個(gè)直徑為6mm,縱深為4mm的腦結(jié)構(gòu)。偏心電極4憑借彈性到達(dá)預(yù)定位置時(shí),電極下端距導(dǎo)管中心距離為1.80mm,每旋轉(zhuǎn)45°損毀一個(gè)點(diǎn),共損毀8個(gè)點(diǎn)。將偏心電極4拔出,針形電極7插入,用于損毀腦結(jié)構(gòu)的中間區(qū)域。每個(gè)損毀點(diǎn)的通電電流為2mA,通電時(shí)間為2min。9個(gè)損毀點(diǎn)損毀的區(qū)域有部分疊加,最終可損毀區(qū)域的直徑最小處為5.99mm,最大處為6.60mm。
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