[實(shí)用新型]一種開(kāi)門(mén)式晶體生長(zhǎng)設(shè)備的自動(dòng)鎖緊機(jī)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220159073.1
• 申請(qǐng)日: 2012-04-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202576638U
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹建偉;歐陽(yáng)鵬根;傅林堅(jiān);石剛;陳明杰;王丹濤;蔣慶良;邱敏秀
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江晶盛機(jī)電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B13/00
• 分類(lèi)號(hào): C30B13/00
• 代理公司: 杭州中成專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 33212
• 代理人: 金祺

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種開(kāi)門(mén)式晶體生長(zhǎng)設(shè)備，尤其涉及一種提高晶體生長(zhǎng)設(shè)備自動(dòng)化程度的鎖緊機(jī)構(gòu)。

背景技術(shù)

單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。硅材料是現(xiàn)代信息社會(huì)的基礎(chǔ)，它不僅是光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)的主要功能材料，也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，特別是電力電子器件的基礎(chǔ)材料。區(qū)熔法(FZ)生產(chǎn)單晶硅是區(qū)別于直拉爐(CZ)的一種新型的單晶生長(zhǎng)方法，它利用高頻感應(yīng)加熱線圈將高純度的多晶料局部融化，熔區(qū)依靠熔硅的表面張力和加熱線圈提供的磁托浮力而處于懸浮狀態(tài)，然后從熔區(qū)的下方利用籽晶將熔硅拉制成單晶。由于沒(méi)有坩堝污染，區(qū)熔爐生長(zhǎng)的單晶硅純度高，均勻性好，低微缺陷，其優(yōu)良的電學(xué)性能非常適合制作高反壓、大電流、大功率的電力電子器件。

區(qū)熔單晶硅的制造方式為用高純度的多晶硅在區(qū)熔爐拉制而成，拉制時(shí)用高壓惰性氣體保護(hù)晶體，其壓力大于0.1Mpa。此類(lèi)晶體生長(zhǎng)設(shè)備內(nèi)直徑一般不小于150mm，工作介質(zhì)為高壓氣體，屬于壓力容器的范疇，由于密封、承壓及介質(zhì)等原因，此類(lèi)設(shè)備容易發(fā)生泄漏、爆炸、燃燒起火而危及生命財(cái)產(chǎn)安全。一種開(kāi)門(mén)式晶體生長(zhǎng)設(shè)備的自動(dòng)鎖緊機(jī)構(gòu)用于晶體生長(zhǎng)設(shè)備在工作狀態(tài)下壓緊門(mén)或窗口等可開(kāi)式結(jié)構(gòu)，保證設(shè)備密封性，鎖緊機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)必須具有較高的可靠性，即能夠壓緊，此外還需具有較高的安全性，在意外發(fā)生時(shí)降低可能受到的損傷。

現(xiàn)有的開(kāi)門(mén)式晶體生長(zhǎng)設(shè)備鎖緊方法主要為螺釘直接緊定或者快卸法蘭密封的方式，其操作繁瑣，在大型設(shè)備上，需安裝的螺釘或者快卸法蘭數(shù)量多，設(shè)備打開(kāi)關(guān)閉時(shí)人工操作量大，影響單晶生產(chǎn)的效率，且無(wú)法滿(mǎn)足自動(dòng)化生產(chǎn)的要求。本實(shí)用新型旨在提供一種自動(dòng)化的可嵌入式的開(kāi)門(mén)式晶體生長(zhǎng)設(shè)備鎖緊機(jī)構(gòu)，在提高生產(chǎn)效率的同時(shí)，保證其安全性，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種開(kāi)門(mén)式晶體生長(zhǎng)設(shè)備的自動(dòng)鎖緊機(jī)構(gòu)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下的技術(shù)方案：

提供一種開(kāi)門(mén)式晶體生長(zhǎng)設(shè)備的自動(dòng)鎖緊機(jī)構(gòu)，包括氣缸和與氣缸相連的進(jìn)氣回路，在進(jìn)氣回路上設(shè)有用于啟閉氣路的電磁閥，電磁閥通過(guò)信號(hào)線與控制單元相連；所述氣缸固定于氣缸座上，氣缸座固定于晶體生長(zhǎng)設(shè)備的外壁上；氣缸座內(nèi)設(shè)置滑塊，滑塊的一端與氣缸的軸相連，另一端是密封端；滑塊的密封端與晶體生長(zhǎng)設(shè)備的門(mén)或窗口的側(cè)邊相對(duì)應(yīng)，且各設(shè)密封面；每個(gè)密封面均包括相接的平面部分與斜面部分，兩個(gè)密封面之間的平面部分與斜面部分相互對(duì)應(yīng)且相互匹配。設(shè)置的斜面部分作為鎖緊狀態(tài)的初始擠壓受力面，而平面部分作為鎖緊狀態(tài)的最終擠壓受力面，平面部分還作為一種機(jī)械限位的安全設(shè)置，在意外發(fā)生無(wú)法壓緊的情況下鎖住晶體生長(zhǎng)設(shè)備的平面，防止門(mén)或窗口爆開(kāi)，降低可能受到的損傷。

本實(shí)用新型中，在鎖緊狀態(tài)下，兩個(gè)密封面的斜面部分和平面部分均相互貼合。

本實(shí)用新型中，在所述氣缸上設(shè)有磁性開(kāi)關(guān)，磁性開(kāi)關(guān)通過(guò)信號(hào)線接至控制單元。

本實(shí)用新型中，在所述氣缸座中設(shè)有油嘴和油槽，用于為滑塊在氣缸座內(nèi)運(yùn)動(dòng)提供潤(rùn)滑油。

本實(shí)用新型中，在氣缸與氣缸座之間、氣缸座與晶體生長(zhǎng)設(shè)備的外壁之間均通過(guò)螺釘實(shí)現(xiàn)固定。

本實(shí)用新型中，所述控制單元通過(guò)信號(hào)線連接至設(shè)于晶體生長(zhǎng)設(shè)備的工藝介質(zhì)入口管線上的控制閥門(mén)。

本實(shí)用新型中，在晶體生長(zhǎng)設(shè)備上設(shè)有壓力檢測(cè)裝置，壓力檢測(cè)裝置通過(guò)信號(hào)線接至控制單元。

本實(shí)用新型中，在所述進(jìn)氣回路上還設(shè)有儲(chǔ)氣罐。當(dāng)氣缸或管路略有泄漏導(dǎo)致進(jìn)氣回路壓力下降時(shí)，由于儲(chǔ)氣罐內(nèi)儲(chǔ)存有一定量的壓縮空氣，可以對(duì)氣體進(jìn)行補(bǔ)充，使進(jìn)氣回路的壓力不致于下降過(guò)快，降低危險(xiǎn)發(fā)生的可能性。

本實(shí)用新型中，在儲(chǔ)氣罐上設(shè)有壓力檢測(cè)裝置，壓力檢測(cè)裝置通過(guò)信號(hào)線接至控制單元。

本實(shí)用新型通過(guò)采用氣動(dòng)控制，控制氣缸壓縮氣體供給與排氣，并可根據(jù)檢測(cè)到的反饋信號(hào)，做出相應(yīng)的控制行為。

所述滑塊與氣缸座的配合為間隙配合，為了利于滑動(dòng)，氣缸座與滑塊選用強(qiáng)度和硬度較高的材料，配合表面粗糙度較高，且氣缸座內(nèi)帶有油槽，其上還安裝有油嘴。

壓力檢測(cè)裝置檢測(cè)的項(xiàng)目包括氣缸軸位置、容器內(nèi)壓力、進(jìn)氣回路壓力。