[實(shí)用新型]近單模準(zhǔn)漸變折射率大模場(chǎng)增益光纖

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220157268.2
• 申請(qǐng)日: 2012-04-13
• 公開（公告）號(hào): CN202522729U
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 段開椋;朱永剛;林傲祥;趙衛(wèi)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 主分類號(hào): G02B6/02
• 分類號(hào): G02B6/02
• 代理公司: 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 姚敏杰

1.一種近單模準(zhǔn)漸變折射率大模場(chǎng)增益光纖，包括纖芯以及包裹于纖芯外部的包層，其特征在于：所述近單模準(zhǔn)漸變折射率大模場(chǎng)增益光纖還包括設(shè)置在纖芯和包層之間的環(huán)形增益區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近單模準(zhǔn)漸變折射率大模場(chǎng)增益光纖，其特征在于：所述環(huán)形增益區(qū)是一系列同心的環(huán)形增益介質(zhì)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的近單模準(zhǔn)漸變折射率大模場(chǎng)增益光纖，其特征在于：所述一系列同心的環(huán)形增益介質(zhì)層形成折射率準(zhǔn)漸變的非均勻布拉格結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利1或2或3所述的近單模準(zhǔn)漸變折射率大模場(chǎng)增益光纖，其特征在于：所述纖芯和環(huán)形增益區(qū)均是摻雜稀土離子的石英介質(zhì)；所述摻雜稀土離子是鉺離子、鐿離子、銩離子、釹離子、鉺離子與鐿離子共摻或銩離子與鈥離子共摻。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的近單模準(zhǔn)漸變折射率大模場(chǎng)增益光纖，其特征在于：所述纖芯是一根或多根。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的近單模準(zhǔn)漸變折射率大模場(chǎng)增益光纖，其特征在于：所述纖芯是奇數(shù)根；所述奇數(shù)根纖芯相互平行；所述纖芯之間的距離處于1-20um之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的近單模準(zhǔn)漸變折射率大模場(chǎng)增益光纖，其特征在于：所述近單模準(zhǔn)漸變折射率大模場(chǎng)增益光纖還包括設(shè)置在包層外部用于限制泵浦光在包層內(nèi)傳輸?shù)牡驼凵渎释繉印?/p>