[實用新型]一種高導熱、防靜電正裝LED芯片有效
| 申請號： | 201220147749.5 | 申請日： | 2012-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN202523768U | 公開（公告）日： | 2012-11-07 |
| 發明（設計）人： | 包紹林;包建敏 | 申請（專利權）人： | 包建敏 |
| 主分類號： | H01L33/64 | 分類號： | H01L33/64;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海集信知識產權代理有限公司 31254 | 代理人： | 肖祎 |
| 地址： | 201601 上海市松*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 導熱 靜電 led 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種高導熱、防靜電正裝LED芯片，包括GaN層、襯底以及密封于兩者之間的反射層，其特征在于：
所述的襯底包括從上至下設置的類鉆碳膜、鋁合金層和純銅層，類鉆碳膜上表面與GaN層底部相密封結合。
2.如權利要求1所述的高導熱、防靜電正裝LED芯片，其特征在于：
所述的純銅層下表面還設有一低共熔低熱阻鍍層。
3.如權利要求1所述的高導熱、防靜電正裝LED芯片，其特征在于：
所述的GaN層上表面設有正、負電極鍵合墊以及間隔分布的正、負極線。
4.如權利要求1所述的高導熱、防靜電正裝LED芯片，其特征在于：
所述的類鉆碳膜的厚度為0.040～0.050mm。
5.如權利要求1所述的高導熱、防靜電正裝LED芯片，其特征在于：
所述的芯片的總高度為110～160μm；所述的襯底的高度為100～150μm。
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