[實用新型]具溫度補償功能的恒流驅動電路有效
| 申請號: | 201220145233.7 | 申請日: | 2012-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN202600546U | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發明(設計)人: | 李桂宏 | 申請(專利權)人: | 李桂宏 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所 32104 | 代理人: | 殷紅梅 |
| 地址: | 214072 江蘇省無錫市濱湖*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溫度 補償 功能 驅動 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種恒流驅動電路,尤其是一種具溫度補償功能的恒流驅動電路。
背景技術
要確保LED使用壽命必須使用恒流驅動電路。晶體管的基極和發射極之間的電壓往往會隨著環境溫度的變化而變化,因此必須進行溫度補償。
現有技術解決該問題的方法包括采用比較器做反饋控制,并用能隙基準源作為比較器的偏置,達到溫度補償的目的。或者通過外接負溫度系數熱敏電阻,達到溫度補償的目的。
現有技術實現溫度補償功能有兩種技術方案:
1、采用比較器做反饋控制,并用能隙基準源作為比較器的偏置,該技術方案不足之處在于:比較器電路需要穩定的供電電源和偏置電壓,電路復雜,成本較高。
2、外接負溫度系數熱敏電阻,該技術方案不足之處在于:外置熱敏電阻離散性很大,很難補償到位。
發明內容
本實用新型的目的是克服現有技術中存在的不足,提供一種具溫度補償功能的恒流驅動電路,能夠自動補償溫度變化引起的驅動電流變化,實現恒流驅動功能。
按照本實用新型提供的技術方案,所述具溫度補償功能的恒流驅動電路,包括陽極和陰極,其特征是,還包括:恒流驅動管、反饋控制晶體管、電流取樣電阻、發射極電流負反饋電阻、偏置電阻、柵極保護二極管,恒流驅動管漏極接陽極,恒流驅動管漏極和柵極之間接偏置電阻,恒流驅動管源極通過電流取樣電阻接陰極,陰極通過柵極保護二極管接恒流驅動管柵極,反饋控制晶體管集電極接恒流驅動管柵極,反饋控制晶體管發射極通過發射極電流負反饋電阻與陰極連接,反饋控制晶體管基極連接恒流驅動管源極。所述反饋控制晶體管基極與恒流驅動管源極之間連接基極保護電阻。
所述恒流驅動管、反饋控制晶體管、電流取樣電阻、基極保護電阻、發射極電流負反饋電阻、偏置電阻、柵極保護二極管、陽極和陰極集成在一個芯片里。
本實用新型的優點是:所述電流取樣電阻采用負溫度系數電阻,當溫度升高時電阻變?。凰霭l射極負反饋電阻采用正溫度系數電阻,當溫度升高時電阻變小大;反饋控制晶體管的基極和發射極之間的電壓隨著溫度升高降低;所述具溫度補償功能的恒流驅動電路自動補償溫度變化引起的驅動電流變化,實現了恒流驅動功能。
附圖說明
圖1是具溫度補償功能的恒流驅動電路圖。
圖2是無基極保護電阻的具溫度補償功能的恒流驅動電路圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。
如圖2所示,本實用新型包括陽極A和陰極K,以及:恒流驅動管T1、反饋控制晶體管T2、電流取樣電阻R1、發射極電流負反饋電阻R3、偏置電阻R4、柵極保護二極管D1,恒流驅動管T1漏極接陽極A,恒流驅動管T1漏極和柵極之間接偏置電阻R4,恒流驅動管T1源極通過電流取樣電阻R1接陰極K,陰極K通過柵極保護二極管D1接恒流驅動管T1柵極,反饋控制晶體管T2集電極接恒流驅動管T1柵極,反饋控制晶體管T2發射極通過發射極電流負反饋電阻R3與陰極K連接,反饋控制晶體管T2基極連接恒流驅動管T1源極。
如圖1所示,在圖2的基礎上在所述反饋控制晶體管T2基極與恒流驅動管T1源極之間連入基極保護電阻R2。
所述電流取樣電阻R1是負溫度系數多晶電阻。所述發射極電流負反饋電阻R3是正溫度系數注入電阻。所述柵極保護二極管D1反向電壓大于6伏、小于20V。所述反饋控制晶體管T2代替比較器做反饋控制。
所述恒流驅動管T1、反饋控制晶體管T2、電流取樣電阻R1、基極保護電阻R2、發射極電流負反饋電阻R3、偏置電阻R4、柵極保護二極管D1、陽極A、陰極K相互電連接并集成在一個芯片里。
電流取樣電阻R1上的壓降為VR1,發射極電流負反饋電阻R3為VR3,VR1=VBE+VR3,流經恒流驅動管T1的電流I0=VR1/R1=(VBE+VR3)/R1。式中VBE為反饋控制晶體管T2的基極和發射極之間的電壓,具負溫度系數特性。
隨著環境溫度升高,VBE減小;電流取樣電阻R1減小,VR1減??;由于VR1的減小量不足以彌補VBE的減小量,所以增設了發射極電流負反饋電阻R3。隨著環境溫度升高,發射極電流負反饋電阻R3增大,VR3增大,進一步彌補VBE的減小量,從而維持I0不變。
隨著環境溫度降低,VBE增大;電流取樣電阻R1增大,VR1增大;VR1的增大量不足以彌補VBE的減小量。同時,發射極電流負反饋電阻R3減小,VR3減小,進一步彌補VBE的增大量,從而維持I0不變。
以上所述實施例表達了本實用新型的優選實施方式,其描述較為具體和祥細,但并不能因此而理解為本實用新型專利范圍的限制;在不脫離本實用新型構思的前提下,做出的若干變形和改進,比如:修改恒流驅動管T1、反饋控制晶體管T2為多個晶體管并聯,修改基極保護電阻R2、發射極電流負反饋電阻R3、偏置電阻R4為多個電阻串聯或者并聯,仍屬于本實用新型的保護范圍。
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