[實用新型]一種具有P型埋層的超結縱向雙擴散金屬氧化物半導體管

有效

• 申請號: 201220145184.7
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN202616236U
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 錢欽松;祝靖;張龍;楊卓;孫偉鋒;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 湯志武

1.一種具有P型埋層的超結縱向雙擴散金屬氧化物半導體管，包括：兼做漏區的N型摻雜硅襯底(1)、N型摻雜硅外延層(2)、超結結構(3)，所述的N型摻雜硅外延層(2)設在N型摻雜硅襯底(1)上，超結結構(3)設在N型硅摻雜半導體區(2)上，所述的超結結構(3)由相互間隔的P型柱(4)和N型柱(5)組成，在P型柱上有第一P型摻雜半導體區(6)，且第一P型摻雜半導體區(6)位于N型摻雜外延層(2)內，在第一P型摻雜半導體區(6)中設有第二P型重摻雜半導體接觸區(13)和N型重摻雜半導體源區(12)，在N型柱(5)上設有柵氧化層(8)，在柵氧化層(8)上方設有多晶硅柵(9)，在多晶硅柵(9)上設有第一型氧化層(10)，在第二P型重摻雜半導體接觸區(13)和N型重摻雜半導體源區(12)上連接有源極金屬(11)，其特征在于，在N型柱表面有輕摻雜的P型埋層(7)，且P型埋層(7)在N型柱內。

2.根據權利要求1所述的具有P型埋層的超結縱向雙擴散金屬氧化物半導體管，其特征在于，P型埋層(7)的厚度為1納米～10微米。

3.根據權利要求1所述的具有P型埋層的超結縱向雙擴散金屬氧化物半導體管，其特征在于，P型埋層(7)的寬度為10納米～50微米。

4.根據權利要求1所述的具有P型埋層的超結縱向雙擴散金屬氧化物半導體管，其特征在于，P型埋層(7)的摻雜濃度為1E3/cm³～1E25/cm³。