[實用新型]薄膜晶體管基板

有效

• 申請號: 201220139859.7
• 申請日: 2012-04-05
• 公開（公告）號: CN202633311U
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 陸富財;陳盈惠
• 申請（專利權）人: 深圳華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本實用新型屬于顯示領域，特別是有關于一種可防止資料線與掃瞄線電性連接的金屬氧化物薄膜晶體管基板。

背景技術

近年來，由于半導體制程技術的進步，薄膜晶體管基板的制造越趨容易、快速。

在制造液晶面板用的薄膜晶體管基板時，除了在基板上形成復數個薄膜晶體管之外，同時也會形成復數條掃瞄線和復數條數據線。掃瞄線用以控制薄膜晶體管的開關；數據線傳送數據訊號給薄膜晶體管。

如圖1所示，為習知非晶硅薄膜晶體管(a-Si?TFT)液晶面板之掃瞄線和數據線之交越處之結構剖面圖。在基板110上形成掃瞄線120。然后，于基板110上形成閘極絕緣層(gate?insulation?layer)130，并覆蓋該掃瞄線120。而后，在閘極絕緣層130上形成數據線140，。最后在閘極絕緣層130上形成保護層(passivation?layer)150，并覆蓋數據線140。

由于閘極絕緣層130在掃瞄線120的轉角處成膜可能不良，因此容易造成閘極絕緣層130在掃瞄線120的轉角處覆蓋不良，即稱為爬坡斷線，如此將可能使數據線140就容易與掃瞄線120電性連接。

因此，便有需要提供一種可防止數據線與掃瞄線電性連接的薄膜晶體管基板，以解決前述的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種薄膜晶體管基板，以避免數據線與掃瞄線電性連接。

本實用新型是這樣實現的，一種薄膜晶體管基板，包括：一基板；復數條掃瞄線，形成在所述基板上；一閘極絕緣層，形成在所述基板上，并覆蓋所述掃瞄線；復數個第一蝕刻停止層，形成在所述閘極絕緣層上；復數條數據線，形成在所述閘極絕緣層上，并分別覆蓋所述第一蝕刻停止層，其中每一該數據線和每一所述掃瞄線之交越處定義有一爬坡區，在所述爬坡區內，第一蝕刻停止層及閘極絕緣層位于所述數據線與掃瞄線之間；以及一保護層，形成在所述閘極絕緣層上，并覆蓋所述數據線。

作為本實用新型的優選技術方案：

其中相鄰兩條數據線和相鄰兩條掃瞄線所形成之區域具有一畫素，所述畫素包括一薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：一閘極，形成在所述基板上；閘極絕緣層，形成在所述基板上，并覆蓋所述閘極；一金屬氧化物半導體層，形成在所述閘極絕緣層上；一第二蝕刻停止層，形成在所述金屬氧化物半導體層上，其中第二蝕刻停止層與第一蝕刻停止層在同一道光罩制程中以相同材料形成；以及一源極以及一基極，該源極以及該基極形成在所述閘極絕緣層上，并覆蓋所述金屬氧化物半導體層。

本實用新型之薄膜晶體管基板在數據線和掃瞄線之交越處的爬坡區增加了第一蝕刻停止層，可防止數據線與掃瞄線短路的情形。

另外，在形成薄膜晶體管時，在半導體層上形成第二蝕刻停止層，故爬坡區之第一蝕刻停止層可與薄膜晶體管之第二蝕刻停止層在同一道光罩制程中以相同材料形成，就可以避免制程成本上的增加。

為了讓本實用新型之上述目的、特征和優點能更清楚明白，下文將配合所附圖示，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1為現有非晶硅薄膜晶體管(a-Si?TFT)液晶面板之掃瞄線和數據線之交越處之結構剖面圖；

圖2為本實用新型實施例之薄膜晶體管基板之上視圖；

圖3為本實用新型實施例薄膜晶體管基板之一個畫素之上視圖；

圖4為本實用新型實施例薄膜晶體管基板之結構剖面圖。

具體實施方式

如圖2所示，為本實用新型之一實施例之薄膜晶體管基板200。薄膜晶體管基板200包括復數條數據線210以及復數條掃瞄線220。每相鄰兩條的數據線210和每相鄰兩條的掃瞄線220所圍成之區域定義為一個畫素230。每一條數據線210和每一條掃瞄線220之交越處定義為一爬坡區240。

如圖3所示，為薄膜晶體管基板之一個畫素之上視圖。圖3中的AB線段之剖面顯示圖4中，AB區間為爬坡區240之剖面圖。圖3中的CD線段之剖面顯示圖4中，C?D區間為薄膜晶體管250之剖面圖。下列為薄膜晶體管基板200之結構，并配合圖4加以說明：