[實用新型]一種多晶硅太陽能電池組件有效
| 申請號: | 201220136949.0 | 申請日: | 2012-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN202513162U | 公開(公告)日: | 2012-10-31 |
| 發明(設計)人: | 柏祎山;夏天 | 申請(專利權)人: | 武漢興隆源太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/048 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 鄧寅杰 |
| 地址: | 430040 湖北省武漢市東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 太陽能電池 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池技術領域,尤其是一種多晶硅太陽能電池組件。??????????
背景技術
太陽能電池工藝中,表面減反膜的工藝是很重要的一步,它直接決定了太陽能電池能吸收了多少太陽光。傳統的太陽能電池表面減反膜是采用鍍一層氮化硅薄膜,氮化硅作為表面減反膜的特點是,工藝簡單,易于產業化生產,成本較低,但缺點也很明顯是:氮化硅作為減反膜在電池和組件上,氮化硅薄膜的折射率與厚度無法同時匹配到最佳值,導致組件端在封裝后存在一定的封裝損失;同時由于主要考慮氮化硅薄膜的光學性能,因此在鈍化效果上也無法達到最佳,造成電池效率一定程度上的損失;而且傳統的氮化硅減反膜在折射率與厚度的設計上,從電池角度與組件角度分別考慮存在較大的差異。
發明內容
本實用新型的發明目的是:提供一種能有效降低太陽電池表面反射率,提高鈍化效果且封裝損失小的多晶硅太陽能電池組件。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種多晶硅太陽能電池組件,其包括太陽能多晶電池片,其特征在于,所述太陽能多晶電池片的上表面鍍有折射率為2.8~3.0的第一層氮化硅減反射膜,第一層氮化硅減反射膜表面鍍有折射率為2.1~2.4的第二層氮化硅減反射膜,所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為30~44納米,所述第二層氮化硅減反射膜的厚度為35~70納米,第二層氮化硅減反射膜向上依次設置有EVA膠膜、鋼化玻璃,太陽能多晶電池片的底部依次設置有EVA膠膜、背板。
本實用新型的有益效果是,本實用新型采用了雙層氮化硅減反射膜設計,提高了太陽能電池表面鈍化效果,降低太陽能電池表面反射率。第一層氮化硅減反射膜在工藝設計時可以充分考慮鈍化效果,使太陽電池的表面鈍化效果提高,從而提升電池效率。第二層氮化硅減反射膜的折射率與組件封裝材料的折射率接近,所以封裝后不會因折射率不匹配而造成的光學損失。
附圖說明
圖1是本實用新型實施例一種多晶硅太陽能電池組件的結構示意圖。
具體實施方式
現在結合附圖對本實用新型作進一步詳細的說明。
如圖1所示,本實用新型實施例多晶硅太陽能電池組件,包括太陽能多晶電池片1,所述太陽能多晶電池片1的上表面鍍有折射率為2.8~3.0的第一層氮化硅減反射膜2,第一層氮化硅減反射膜2表面鍍有折射率為2.1~2.4的第二層氮化硅減反射膜3,所述第一層氮化硅減反射膜2的厚度為30~44納米,所述第二層氮化硅減反射膜3的厚度為35~70納米,第二層氮化硅減反射膜3向上依次設置有EVA膠膜4、鋼化玻璃5,太陽能多晶電池片1的底部依次設置有EVA膠膜4、背板6。
?本實用新型未公開的具體細節屬于本領域技術人員的公知常識。在不脫離其精神與范圍的情況下,可以與上述特定的實施例的解釋與說明不同的方式實施。因此這里所公開的具體細節不應理解為對本實用新型的限制,其只不過是向所屬技術領域的技術人員傳授本實用新型的各種使用方式的代表性的基本方式。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





