[實用新型]一種大功率dv/dt實驗電路有效
| 申請號: | 201220133743.2 | 申請日: | 2012-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN202533550U | 公開(公告)日: | 2012-11-14 |
| 發明(設計)人: | 鄒華碧;李學權;張學明 | 申請(專利權)人: | 四川中星電子有限責任公司 |
| 主分類號: | G01R31/14 | 分類號: | G01R31/14 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 611130 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大功率 dv dt 實驗 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種實驗電路,具體涉及一種大功率dv/dt實驗電路。
背景技術
目前,電力電子脈沖電路、大功率電路、大功率設備開啟或關閉、大型電氣開路或短路、雷電發生和其它電磁干擾,均會引起正常工作的電氣線路產生過壓或過流現象,甚至會造成電路故障、電氣爆炸、電氣火災等危害。在工業生產中,人們總是利用過壓或過流的有利的一面,而抑制過壓或過流的不利的一面。例如電子打孔,是利用高壓大電流,使加工位置和尺寸達到較高的精度??朔头乐惯^壓或過流異常的辦法有:為價值高、要求高的電路或不允許間斷工作的電路加裝防雷設施、電磁屏蔽裝置、防干擾電路、過壓或過流保護電路等,其中,還有一種必要的措施就是提高電路元器件抗過壓或過流的能力,例如:IEC標準要求某些電容器應承受抗雷擊實驗負荷,這對高可靠或安全性要求高的設備尤為重要。
怎樣才能識別電子元器件抗過壓或過流的能力呢?這就需要一種模擬過壓、過流的實驗設備來鑒別電容器抗雷擊或抗高dv/dt變化的能力,這種實驗設備在國內很少見,即使有,其脈沖電壓和dv/dt值也很小或者是只有脈沖電壓指標,而無dv/dt指標。例如上海儀表研究所生產的SYS306電容器脈沖實驗設備的電壓指標為0~1500V連續可調,而無dv/dt指標;實際上,dv/dt指標一般為100V/μs,最大只能達到400V/μs。而客戶對電容器dv/dt沖擊實驗能力的要求越來越高,達到5000~10000V/μs;目前國內廠家沒有符合上述高要求的實驗方法和手段。
為了解決現有技術中的上述不足,本實用新型提供了一種新的解決方案。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是:針對于現有技術的不足,提供一種大功率dv/dt實驗電路,該電路使電容器及其它電子元器件dv/dt實驗的能力由400V/μs提升到了100000V/μs,滿足電容器及電子元器件大功率dv/dt實驗的需求,有利于提升電容器或其它電子元器件的dv/dt水平,從而提高產品質量和市場競爭力。
為達到上述發明目的,本實用新型所采用的技術方案為:提供一種大功率dv/dt實驗電路,其特征在于:所述實驗電路包括直流可調電壓源、儲能電路、實驗電容器充電電路、實驗電容器放電電路;
所述儲能電路由開關K、儲能電容器C和與儲能電容器C并聯的儲能電容器放電控制開關K5組成,所述儲能電容器C的1端經開關K與直流可調電壓源正極連接,儲能電容器C的2端與直流可調電壓源的負極連接;
所述實驗電容器充電電路包括實驗電容器Cx、實驗電容器充電控制開關KM1、實驗電容器充電可調變阻器R1,所述實驗電容器Cx的3端經實驗電容器充電控制開關KM1、實驗電容器充電可調變阻器R1與儲能電容器C的1端連接,實驗電容器Cx的4端經開關K4與儲能電容器C的2端連接;
所述實驗電容器放電電路包括實驗電容器Cx、實驗電容器放電控制開關KM2、實驗電容器放電可調變阻器R2,所述實驗電容器Cx的3端經實驗電容器放電控制開關KM2和實驗電容器放電可調變阻器R2與直流可調電壓源的負極連接。
所述實驗電容器Cx還并聯有被開關K3所控制的歐姆表,所述歐姆表的量程為0~10000Ω,歐姆表的精度為0.001Ω。
所述儲能電容器C為若干個有機薄膜電容器所組合成的額定工作電壓為實驗工作電壓2倍、電容量為被試元件20倍的可變容量的高壓大容量儲能電容器。
所述直流可調電壓源為0~10000Vdc連續可調的電壓源。
所述實驗電容器充電電路還包括開關K1,所述開關K1并聯于實驗電容器充電可調變阻器R1的兩端。
所述實驗電容器放電電路還包括開關K2,所述開關K2并聯于實驗電容器放電可調變阻器R2的兩端。
綜上所述,本實用新型所提供的大功率dv/dt實驗電路具有以下有益效果:
1)該電路通過設置直流可調電壓源和高壓大容量電容器,利用高壓大容量電容器在直流下儲能,可以快速放電的方法,從而實現對電子元器件進行大功率dv/dt的實驗。
2)本實用新型的實驗電路使電容器及其它電子元器件dv/dt實驗的能力由400V/μs提升到了100000V/μs,滿足電容器及電子元器件大功率dv/dt實驗的需求,有利于提升電容器或其它電子元器件的dv/dt水平,從而提高產品質量和市場競爭力。
附圖說明
圖1為大功率dv/dt實驗電路的電路圖;
圖2為大功率dv/dt實驗電路充電狀態下的工作原理圖;
圖3為大功率dv/dt實驗電路放電狀態下的工作原理圖。
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