[實用新型]一種單片集成電容式硅微麥克風與集成電路的芯片

有效

• 申請號: 201220133109.9
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN202535536U
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 潘昕
• 申請（專利權）人: 歌爾聲學股份有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電容式硅微麥克風與集成電路單片集成的芯片，其特征在于，所述芯片基于SOI晶圓，所述SOI晶圓的頂層硅的厚度根據所設計的電容式硅微麥克風的背極板的厚度選擇確定，在所述頂層硅表面劃分有兩個區域：集成電路區和電容式硅微麥克風區，其中，

所述集成電路區，包括首先按照標準半導體工藝流程制作的集成電路，并在所述集成電路上預留有與電容式硅微麥克風電氣連接的導電電極；

所述電容式硅微麥克風區，包括采用所述SOI晶圓的頂層硅形成的可導電的背極板、在所述背極板之上形成的用于支撐振動膜的絕緣支撐體、在所述絕緣支撐體之上的可導電的振動膜，所述背極板和振動膜之間具有空氣隙，所述背極板下部具有背腔，且在所述背極板上設置有貫通所述背腔和所述空氣隙的若干個聲孔；并且還包括在所述背極板上設置的背板電極、在所述振動膜上設置的振膜電極，以及所述背板電極和所述振膜電極分別與所述集成電路上預留的導電電極的電氣連接通路。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述SOI晶圓為厚膜SOI晶圓，其頂層硅厚度大于1um。

3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，在所述振動膜上設置有釋放孔。

4.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述絕緣支撐體或連續處于所述振動膜的全部邊緣部分，或分散處于所述振動膜一處或多處邊緣部分。