[實(shí)用新型]肖特基二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220133084.2
• 申請(qǐng)日: 2012-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN202549849U
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 斯特凡·斯塔羅韋茨基;奧爾加·克雷姆帕斯卡;馬丁·普雷德梅爾斯基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/872
• 分類號(hào): H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 楊靖;車文

1.肖特基二極管(2)，所述肖特基二極管具有第一主面(4)和第二主面(6)以及邊緣面(8)，其中各個(gè)主面(4，6)同時(shí)構(gòu)成相應(yīng)的第一和第二電接觸表面，

所述肖特基二極管具有層式構(gòu)造，所述層式構(gòu)造由具有第一高摻雜物濃度的半導(dǎo)體基體(10)、相同導(dǎo)電性和較低摻雜物濃度的半導(dǎo)體層(12)、與所述半導(dǎo)體層構(gòu)成肖特基接觸(200)的第一金屬層(20)、由連接介質(zhì)(30)制成的層和在此上與第二金屬層(22)連接的平面接觸體(32)組成，并且

所述肖特基二極管具有所述肖特基二極管(2)的邊緣面(8)的鈍化層(60)，該鈍化層至少覆蓋所述邊緣面(8)的那個(gè)在所述肖特基接觸(200)周圍的區(qū)段。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中，在所述第一金屬層(20)與所述由連接介質(zhì)(30)制成的層之間還設(shè)置有構(gòu)成遷移屏障的第二金屬層(22)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中，所述平面接觸體(32)由金屬或高摻雜半導(dǎo)體材料制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中，所述連接介質(zhì)(30)是一層或多層的其它金屬層或?qū)щ娬澈线B接件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中，所述邊緣面(8)至少在所述肖特基接觸(200)的區(qū)域內(nèi)與那些層成如下角(80)，所述角多于5度地偏離直角。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中，在所述第一和/或第二主面(4，6)上設(shè)置有其它金屬接觸層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中，所述鈍化層(60)完全地、從所述第一主面(4)至所述第二主面(6)延伸地覆蓋所述邊緣面(8)。