[實用新型]直拉法單晶硅生產用石英坩堝

有效

• 申請號: 201220130465.5
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN202558962U
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 張勇
• 申請（專利權）人: 安徽中科太陽能有限公司
• 主分類號: C30B15/10
• 分類號: C30B15/10;C30B29/06
• 代理公司: 安徽信拓律師事務所 34117
• 代理人: 婁爾玉

技術領域

本實用新型涉及一種直拉法單晶硅生產用石英坩堝。

背景技術

半導體材料是半導體工業的基礎材料，當今95％以上的半導體器件是用硅材料制造的，99％以上的集成電路是硅集成電路，生產集成電路所需要的原料是單晶硅，其中用直拉法生產的單晶硅占了總數的約85％。直拉法生產單晶硅時需要將塊狀的高純度多晶硅置于石英坩堝內，加熱到其熔點1420℃以上，使其完全融化，然而融化的硅熔體會與石英坩堝內壁產生化學反應，對石英坩堝內壁產生侵蝕，影響石英坩堝的在高溫下的強度，同時也降低了單晶硅晶體的晶格完整性。

本實用新型內容

本實用新型的目的就是提供一種不會被熔融的硅熔體侵蝕、高溫下具有高強度并改善硅晶體晶格的完美性的石英坩堝。

本實用新型所采用的技術方案如下：

一種直拉法單晶硅生產用石英坩堝，包括石英坩堝本體，本體內壁具有保護涂層。

所述石英坩堝的堝體內壁的保護涂層為碳酸鋇涂層。

所述石英坩堝的堝體內壁的保護涂層的厚度為1至3微米。

本實用新型內壁的碳酸鋇涂層可與硅產生化學反應，生成性質穩定的硅酸鋇，硅酸鋇附著在石英坩堝的內壁，不會與高溫硅熔體產生化學反應，所以在單晶硅的生產過程中，石英坩堝的內壁不會被高溫硅熔體侵蝕，高溫下具有高強度并改善硅晶體晶格完美性的石英坩堝，具有較高的實用價值。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

具體實施方式

為了使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本實用新型。

如圖1所示，一種直拉法單晶硅生產用石英坩堝，包括石英坩堝本體1，本體1內壁具有保護涂層2，保護涂層2為碳酸鋇涂層，碳酸鋇涂層的厚度為1至3微米，碳酸鋇涂層與硅產生化學反應，生成性質穩定的硅酸鋇，硅酸鋇附著在石英坩堝的內壁，不會與高溫硅熔體產生化學反應，從而形成對坩堝內壁的保護。

以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。