[實(shí)用新型]太陽能硅電池濕法刻蝕機(jī)刻蝕段雙層抽風(fēng)系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220111882.5 | 申請日: | 2012-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN202855716U | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 錢誠;吳兵 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州晶洲裝備科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215555 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能 電池 濕法 刻蝕 雙層 抽風(fēng) 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種對太陽能硅電池濕法刻蝕機(jī)刻蝕段抽風(fēng)系統(tǒng)的改良,尤其涉及一種太陽能硅電池濕法刻蝕機(jī)刻蝕段雙層抽風(fēng)系統(tǒng)。?
背景技術(shù)
太陽能硅電池濕法刻蝕設(shè)備中,硅片正面貼合藥水液面做水平傳輸進(jìn)行刻蝕,而硅片的背面則完全暴露在空氣中。為確保液面、氣流的穩(wěn)定,傳統(tǒng)的硅電池濕法刻蝕機(jī)在刻蝕段抽風(fēng)量比較小,但由于采用單層抽風(fēng),在弱風(fēng)量的情況下刻蝕段仍然會出現(xiàn)嚴(yán)重的抽風(fēng)不均現(xiàn)象,暴露在空氣中的硅片表面極易受到藥水酸氣的不均勻腐蝕,導(dǎo)致刻蝕完成后的硅片方塊電阻飄升不均勻,工藝不易控制,影響最終電池片出片效率。?
實(shí)用新型內(nèi)容
為了解決抽風(fēng)穩(wěn)定性對電池片品質(zhì)所帶來的影響,本實(shí)用新型提供一種太陽能硅電池濕法刻蝕機(jī)刻蝕段雙層抽風(fēng)系統(tǒng),該系統(tǒng)通過對整個(gè)刻蝕段抽風(fēng)均勻布置,確保整個(gè)刻蝕的氛圍穩(wěn)定,?最終實(shí)現(xiàn)硅片方塊電阻的均勻飄升。?
本實(shí)用新型的上述目的通過以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):一種太陽能硅電池濕法刻蝕機(jī)刻蝕段雙層抽風(fēng)系統(tǒng),所述系統(tǒng)為水平傳輸?shù)逆準(zhǔn)浇Y(jié)構(gòu),其特征在于:?
所述系統(tǒng)包括槽體、第一層蓋板和第二層蓋板,在槽體刻蝕段入料方向與出料方向各有一個(gè)抽風(fēng)口;?
所述抽風(fēng)口連接槽體第一層蓋板,該蓋板上設(shè)有抽風(fēng)分流口,該蓋板將抽風(fēng)口的風(fēng)量均勻化,通過抽風(fēng)分流口分成若干小孔進(jìn)行分流,同時(shí)該蓋板還設(shè)有進(jìn)新風(fēng)口,保證了內(nèi)部抽風(fēng)的氛圍均勻性;?
所述第一層蓋板與第二層蓋板之間設(shè)置一層緩沖區(qū),本緩沖區(qū)用于均勻第一層蓋板上小孔布置而形成的非均勻性抽風(fēng)壓力;?
所述緩沖區(qū)下方安裝第二層蓋板,該蓋板上密集的開了若干小孔,通過緩沖區(qū)的均勻化處理,在蓋板下方獲得非常穩(wěn)定均勻的抽風(fēng)效果。?
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述抽風(fēng)口上設(shè)置負(fù)壓表監(jiān)控、調(diào)整抽風(fēng)壓力。?
本實(shí)用新型的有益效果是:利用第一層蓋板進(jìn)行抽風(fēng)壓力的第一次分流,經(jīng)過緩沖區(qū)緩沖與均勻化以后,第二層蓋板整個(gè)刻蝕區(qū)抽風(fēng)十分均勻,解決了原刻蝕機(jī)因抽風(fēng)段抽風(fēng)不均勻所引起的硅片方塊電阻不均勻的飄升現(xiàn)象,保證了電池片出片的品質(zhì)。?
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型原理圖;?
圖2為本實(shí)用新型第二層蓋板結(jié)構(gòu)圖;?
圖3為本實(shí)用新型第一層蓋板的俯視結(jié)構(gòu)圖;?
圖4為本實(shí)用新型第一層蓋板的側(cè)面結(jié)構(gòu)圖。?
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步詳述:?
如圖1所示,本系統(tǒng)的工作原理:所述系統(tǒng)包括槽體9、第一層蓋板4和第二層蓋板5,主抽風(fēng)管通過第一層蓋板4(圖3)兩側(cè)d75mm的抽風(fēng)口1進(jìn)行抽風(fēng),進(jìn)風(fēng)口2上需要各自安裝一個(gè)負(fù)壓表進(jìn)行壓力監(jiān)控,實(shí)際工作時(shí)候,需要將負(fù)壓表值調(diào)成相等值。?
如圖3、圖4所示,第一層蓋板4抽風(fēng)腔體結(jié)構(gòu),抽風(fēng)口1對抽風(fēng)腔體10進(jìn)行抽風(fēng),腔體10則繼續(xù)把抽風(fēng)壓力釋放給主抽風(fēng)口下方的若干抽風(fēng)分流口3,這些抽風(fēng)分流口3的口徑根據(jù)工藝段槽體的長度與寬度計(jì)算獲得,以初步調(diào)整抽風(fēng)量的均勻性。抽風(fēng)分流口3所在的腔體截面要求至少如圖3的115mm*40mm,確保風(fēng)力穩(wěn)定。抽風(fēng)口旁邊為新風(fēng)口,用于交換氣體,保證整個(gè)刻蝕段風(fēng)量平衡。第一層蓋板4與第二層蓋板5之間為緩沖區(qū)6,整個(gè)緩沖區(qū)6即為一個(gè)長方體空間。兩層蓋板之間的緩沖區(qū)間距最小80mm,最大則不宜超過120mm,保證整個(gè)區(qū)域氣量穩(wěn)定、均?衡并且有對抽風(fēng)區(qū)7有足夠抽風(fēng)力。?
如圖2所示,緩沖區(qū)6將第一層蓋板4抽風(fēng)的負(fù)壓均勻化后將整個(gè)抽風(fēng)力釋放于第二層蓋板5,通過密集的小孔8,第二層蓋板5對整個(gè)抽風(fēng)區(qū)7進(jìn)行均勻的抽風(fēng),第二層蓋板5結(jié)構(gòu)如圖2所示,可根據(jù)抽風(fēng)區(qū)域的大小調(diào)整整個(gè)蓋板的長L與寬W,小孔8的孔徑與分布保持不變。?
則本技術(shù)方案實(shí)施完畢。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





