[實用新型]掩膜版的晾干裝置有效
| 申請號: | 201220106383.7 | 申請日: | 2012-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN202494861U | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 侯廣杰;游定平 | 申請(專利權)人: | 深圳市龍圖光電有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/82 | 分類號: | G03F1/82 |
| 代理公司: | 深圳市中原力和專利商標事務所(普通合伙) 44289 | 代理人: | 王英鴻 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜版 晾干 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及晾干技術領域,尤其涉及一種掩膜版的晾干裝置。
背景技術
掩模版photomask,也稱光罩、光學掩模版,常見的掩模版有鉻版(chrome?mask)、干版(emulsion?mask)、菲林(film?mask)等,是指在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并精確定位,以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構。
掩膜版制造過程的最后需要對掩膜版進行清洗干燥,目前掩膜版常規清洗干燥技術是把掩膜版直接放入到烘箱中進行烘烤,這樣的結果是使掩膜版表面凈化度達到顧客使用要求。
實用新型內容
為此,本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種掩膜版的晾干裝置,使得晾干后的掩膜版表面沒有化學物質殘留。
本實用新型提供了一種掩膜版的晾干裝置,包括:設置在該晾干裝置上方用于從上往下送風的FFU(Fan?Filter?Units,風機濾器機組)機組、設置在FFU機組出風口上用于調整風速風向參數的整流罩和設置在該晾干裝置內可使掩膜版傾斜擺放在其上的晾版架。
其中,所述晾干架為L形,包括成90度角的底盤和背板,底盤和背板上均設置有用于放置掩膜版的阻滑條,底盤上還裝置有導風孔。
所述晾干架還包括可將晾干架懸掛在該晾干裝置內壁上的掛件。
所述背板為開口箱形,其開口處用于接收FFU機組的出風,箱形背板的一面設置有導風孔槽和所述用于放置掩膜版的阻滑條。
本實用新型所述掩膜版的晾干裝置,通過在FFU機組出風口上設置用于調整風速風向參數的整流罩和在該晾干裝置內設置可使掩膜版傾斜擺放在其上的晾干架,使得掩膜版經過這樣的晾干裝置晾干后掩膜版表面凈化度達到顧客使用要求。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例所述掩膜版的晾干裝置結構示意圖;
圖2為圖1所示晾干裝置內部結構示意圖;
圖3為圖2中A部局部放大圖。
具體實施方式
下面,結合附圖對本實用新型進行詳細描述。
如圖1所示,本實施例提供了一種掩膜版的晾干裝置,包括:設置在該晾干裝置上方用于從上往下送風的FFU(Fan?Filter?Units,風機濾器機組)機組11、設置在FFU機組11出風口上用于調整風速風向參數的整流罩12和設置在該晾干裝置內可使掩膜版20傾斜擺放在其上的晾干架13。
其中,整流罩12,可以根據掩膜版的大小、以及需要晾干的品質需求任意調整風速、風向參數。
如圖2所示,晾干架13為L形,包括:成90度角的底盤131和背板132,底盤131和背板132上均設置有用于放置掩膜版20的阻滑條133,底盤131上還裝置有導風孔134。
晾干架13可以放置在本實施例所述晾干裝置內,也可以懸掛在該晾干裝置內壁上,為此,晾干架13還可以進一步包括:可將晾干架懸掛在該晾干裝置內壁上的掛件135。
背板132可以是開口箱形,其開口處136處用于接收FFU機組11的出風,箱形背板的一面設置有導風槽137和所述用于放置掩膜版的阻滑條133。
如圖1所示,FFU機組11的出風通過整流罩12出風后,一部分直接吹向掩膜版正面,另一部分通過背板132的開口進入到背板中,并通過背板上的導風槽137出來,對掩膜版背面進行吹風。這樣的晾干過程,使得掩膜版表面沒有化學物質殘留。
在實際使用過程中,本實施例所述掩膜版的晾干裝置,晾干的掩膜版表面無化學物質殘留,比背景技術中所述烘箱耗能低,干燥時間也由原來的15到30分鐘縮短到5到15分鐘,實用性明顯。
綜上所述,本實施例所述掩膜版的清洗干燥裝置,通過此方案在FFU機組出風口上設置用于調整風速風向參數的整流罩和在該晾干裝置內設置可使掩膜版傾斜擺放在其上的晾干架,使得掩膜版通過風吹晾干裝置晾干后掩膜版表面凈化度達到顧客使用要求。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





