[實(shí)用新型]一種光電探測(cè)器、光電集成電路及光通信系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220106311.2
• 申請(qǐng)日: 2012-03-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202513189U
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周志文;葉劍鋒;張衛(wèi)豐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院
• 主分類號(hào): H01L31/112
• 分類號(hào): H01L31/112;H01L27/144
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 陳世洪

1.一種光電探測(cè)器，其特征在于，所述光電探測(cè)器由場(chǎng)效應(yīng)晶體管改制而成，包括襯底、于所述襯底邊角處形成的源區(qū)和漏區(qū)、于所述襯底表面形成的柵區(qū)以及于所述源區(qū)和漏區(qū)表面形成的電極，所述柵區(qū)作為入射光的吸收區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述襯底為Si襯底或SOI襯底，所述柵區(qū)為Ge柵區(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述襯底為P型摻雜，摻雜濃度為10¹⁵～10¹⁶/cm³。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)為N型摻雜，摻雜濃度為10¹⁹～10²⁰/cm³，摻雜深度為100～300nm。

5.如權(quán)利要求4所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述電極為與源區(qū)/漏區(qū)歐姆接觸的金屬電極。

6.一種光電集成電路，其特征在于，所述光電集成電路采用如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的光電探測(cè)器。

7.一種光通信系統(tǒng)，其特征在于，所述光通信系統(tǒng)包括如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的光電探測(cè)器。