[實(shí)用新型]一種新型MOCVD反應(yīng)裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220106096.6 | 申請日: | 2012-03-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202543317U | 公開(公告)日: | 2012-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫明;莊文榮 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇漢萊科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/44 | 分類號(hào): | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 213164 江蘇省常州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 mocvd 反應(yīng) 裝置 | ||
1.一種MOCVD新反應(yīng)裝置,其特征在于本MOCVD反應(yīng)裝置包括電控裝置(1)、混氣裝置(2)、倒置圓柱形反應(yīng)腔(3)、與倒置圓柱形反應(yīng)腔匹配的待送腔(4)與傳送腔(5)、尾氣處理裝置(6)。
2.權(quán)利要求1所述的反應(yīng)裝置,其特征在于與倒置圓柱形反應(yīng)腔匹配的待送腔(4)與傳送腔(5),與反應(yīng)腔大小、形狀相同,并排列在同一直線上,待送腔(4)的出口與反應(yīng)腔(3)的進(jìn)口對應(yīng),反應(yīng)腔(3)的出口與傳送腔(5)的進(jìn)口對應(yīng)。
3.權(quán)利要求2所述的反應(yīng)裝置,其特征在于倒置圓柱形反應(yīng)腔(3)、與倒置圓柱形反應(yīng)腔匹配的待送腔(4)與傳送腔(5),里面均設(shè)置有固定的傳送軸。
4.權(quán)利要求3所述的反應(yīng)裝置,其特征在于待送腔(4)、傳送腔(5)內(nèi)傳送軸,在進(jìn)口端蓋(41)處高于出口端蓋(42)處;反應(yīng)腔(3)內(nèi)傳送軸水平放置,待送腔(4)出口端的傳送軸、傳送腔(5)進(jìn)口端的傳送軸與反應(yīng)腔(3)內(nèi)的傳送軸在同一水平上。
5.權(quán)利要求1所述的反應(yīng)裝置,其特征在于倒置圓柱形反應(yīng)腔(3)內(nèi)基座為與反應(yīng)腔匹配的傳送式基座(7),傳送式基座(7)通過反應(yīng)腔(3)、待送腔(4)、傳送腔(5)內(nèi)的傳送軸,實(shí)現(xiàn)在反應(yīng)腔、待送腔、傳送腔內(nèi)傳送;用于噴淋氣體的噴淋盤為旋轉(zhuǎn)式噴淋盤。
6.權(quán)利要求5所述的反應(yīng)裝置,其特征在于傳送式基座(7)背面帶有電磁加熱裝置,對壘晶襯底實(shí)現(xiàn)電磁輻射加熱。
7.權(quán)利要求5所述的反應(yīng)裝置,其特征在于傳送式基座正面中間帶有凸起部件的圓形凹槽,用于放置石墨載盤,石墨載盤其下面圓心部分有一個(gè)凹槽,放置石墨基座上凹槽的凸起上,使石墨載盤可在圓周方向外力的作用下圍繞中心轉(zhuǎn)動(dòng)。
8.權(quán)利要求7所述的反應(yīng)裝置,其特征在于石墨載盤根據(jù)基座圓形凹槽的大小匹配,其上面有均勻分布的凹槽,凹槽的大小跟壘晶襯底片大小匹配,用于盛載壘晶襯底片。
9.權(quán)利要求5所述的反應(yīng)裝置,其特征在于轉(zhuǎn)動(dòng)式噴淋盤與石墨載盤等大,并與石墨載盤平行,噴淋盤出氣口均勻密布于噴淋盤上,噴出的氣體束除圓心處,其余的都不與石墨載盤垂直,在壘晶過程中噴淋盤處于水平方向上轉(zhuǎn)動(dòng)。
10.權(quán)利要求9所述的反應(yīng)裝置,其特征在于,壘晶過程中轉(zhuǎn)動(dòng)式噴淋盤轉(zhuǎn)動(dòng)的方向與石墨載盤轉(zhuǎn)動(dòng)的方向相反。
11.權(quán)利要求9所述的反應(yīng)裝置,其特征在于,在同一直徑上的氣體束噴淋到石墨載盤或襯底上也在同一直徑上,且同一直徑上相鄰氣體束出氣口之間的距離與噴淋到石墨載盤或襯底上的距離相等;且同一圓周上的氣體束噴淋到石墨載盤或襯底上也在同一圓周上,相鄰兩束氣體束平行;并且每一束氣體束都打在石墨載盤或襯底上。
12.權(quán)利要求9-11所述的反應(yīng)裝置,其特征在于,氣體束與石墨載盤或襯底的角度除圓心處,小于90°,大于α,α=arc?tan????????????????????????????????????????????????。
13.權(quán)利要求12所述的反應(yīng)裝置,其特征在于,氣體束與石墨載盤或襯底的角度除圓心處,大于或等于β,β=arc?tan。
14.權(quán)利要求13所述的反應(yīng)裝置,其特征在于,氣體束與石墨載盤或襯底的角度除圓心處,等于β,β=arc?tan。
15.權(quán)利要求7-14所述的反應(yīng)裝置,其特征在于,石墨載盤表面除凹槽部位,其它部位均有凹形或凸形或凹凸形圖形。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





