[實用新型]基于圖形化藍寶石襯底的GaN基PIN探測器

有效

• 申請號: 201220104052.X
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN202534671U
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 劉福浩;許金通;李向陽;王榮陽;劉秀娟;陶利友;劉詩嘉;孫曉宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L31/105
• 分類號: H01L31/105;H01L31/0352
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種基于圖形化藍寶石襯底的GaN基PIN結構紫外探測器件，其結構為：在襯底上首先生長GaN緩沖層(2)，然后在它之上依次生長n⁺型GaN材料層(3)、本征型GaN材料層(4)和p型GaN材料層(5)，p型歐姆接觸電極(6)位于p型GaN材料層(5)上，n型歐姆接觸電極(7)位于刻蝕臺階后暴露出的n⁺型GaN材料層(3)上，器件表面及側面覆蓋有鈍化層(8)，鈍化層(8)在p型電極與n型電極位置處開有讓電極裸露出來的孔，p型歐姆接觸電極與n型歐姆接觸電極之上有加厚電極(9)；其特征在于：

所述的襯底(1)為圖形化藍寶石晶片，晶向為0001，藍寶石刻蝕圖案是圓形、菱形或六邊形，圖案呈正六邊形分布

所述的GaN緩沖層(2)的厚度為1-3微米；

所述的n⁺型GaN材料層(3)的厚度為1-2微米；

所述的本征型GaN材料層(4)為弱n型，厚度為0.1-0.3微米；

所述的p型GaN材料層(5)的厚度為0.1-0.2微米；

所述的p歐姆接觸電極(6)為電子束蒸發的Ni/Au/Ni/Au；

所述的n歐姆接觸電極(7)為電子束蒸發的Ti/A1；

所述的鈍化層(8)為磁控濺射或PECVD生長的二氧化硅或氮化硅。

2.根據權利要求1所述的一種基于圖形化藍寶石襯底的GaN基PIN結構紫外探測器，其特征在于：所述的p型歐姆接觸電極(6)圖形形狀為圓形或環形。

3.根據權利要求1所述的一種基于圖形化藍寶石襯底的GaN基PIN結構紫外探測器，其特征在于：所述的n型歐姆接觸電極(7)圖形形狀為環形或方形。