[實用新型]基準電壓源啟動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220102082.7
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN202486648U
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發(fā)明（設計）人: 賈曉偉;鄧龍利;王帥旗
• 申請（專利權）人: 北京經(jīng)緯恒潤科技有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

技術領域

本實用新型涉及一種的基準電壓源啟動電路，屬于模擬集成電路設計領域。

背景技術

在模擬集成電路及混合信號電路設計領域，基準電壓源是一很重要的電路模塊，為系統(tǒng)提供電壓基準和電流基準。然而，大多數(shù)基準電壓源電路工作時一般有兩個工作區(qū)，一是正常工作區(qū)域，基準電壓源主體電路所有MOS(metal?oxid?semiconductor，金屬氧化物半導體)場效應管都工作在飽和區(qū)，輸出正常的基準電壓；另一個為死區(qū)，基準電壓源主體電路部分MOS管工作在截止區(qū)，輸出錯誤的基準電壓。所以，在設計中如何避免基準電壓源電路進入死區(qū)就成為必須解決的問題，因此涉及到啟動電路的設計。

實用新型內容

為解決上述技術問題，本申請實施例提供一種基準電壓源啟動電路，以實現(xiàn)采用電路結構簡單的基準電壓源啟動電路將基準電壓源電路脫離死區(qū)，進入正常工作區(qū)，技術方案如下：

本申請?zhí)峁┮环N基準電壓源啟動電路，應用于基準電壓源電路，包括：由第一NMOS管和第二NMOS管構成的第一鏡像電流源電路、啟動單元、第一PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管，其中：

所述啟動單元的控制端分別與第一NMOS管的漏極和第一PMOS管的漏極連接，所述啟動單元的輸出端連接所述基準電壓源電路，在所述基準電壓源電路進入死區(qū)時，驅動所述基準電壓源電路脫離死區(qū)；

第一PMOS管的源極與電源電壓連接，柵極連接接地端；

第一NMOS管的源極連接接地端，柵極分別與第二NMOS管的柵極和漏極連接；

第二NMOS管的源極連接接地端，漏極與第四PMOS管的漏極連接，第四PMOS管的源極與第三PMOS管的漏極連接，第三PMOS管的源極與電源電壓連接，并且第四PMOS管柵極、第三PMOS管柵極分別與基準電壓源電路相連，以獲取所述基準電壓源內的主體支路電流PTAT電流。

優(yōu)選的，所述啟動單元包括第二PMOS管和反相器，其中：

所述反相器的輸入端作為所述啟動單元的控制端，所述反相器的輸出端與第二PMOS管的柵極連接，第二PMOS管的源極與電源電壓連接，漏極作為所述啟動單元的輸出端。

優(yōu)選的，所述啟動單元為第七NMOS管，該第七NMOS管的漏極作為所述啟動單元的輸出端，源極連接地端，柵極作為所述啟動單元的控制端。

本申請還提供一種基準電壓源啟動電路，應用于基準電壓源電路，包括：由第一NMOS管和第二NMOS管構成的第一鏡像電流源電路、啟動單元、第一電阻、第三PMOS管和第四PMOS管，其中：

所述啟動單元的控制端分別與第一NMOS管的漏極和第一電阻的一端連接，所述啟動單元的輸出端連接所述基準電壓源電路，在所述基準電壓源電路進入死區(qū)時，驅動所述基準電壓源電路脫離死區(qū)；

第一電阻的另一端與電源電壓連接；

第一NMOS管的源極連接接地端，柵極分別與第二NMOS管的柵極和漏極連接；

第二NMOS管的源極連接接地端，漏極與第四PMOS管的漏極連接，第四PMOS管的源極與第三PMOS管的漏極連接，第三PMOS管的源極與電源電壓AVDD連接，并且第四PMOS管柵極、第三PMOS管柵極分別與基準電壓源電路相連，以獲取所述基準電壓源內的主體支路電流PTAT電流。

優(yōu)選的，所述啟動單元包括第二PMOS管和反相器，其中：

所述反相器的輸入端作為所述啟動單元的控制端，所述反相器的輸出端與第二PMOS管的柵極連接，第二PMOS管的源極與電源電壓連接，漏極作為所述啟動單元的輸出端。

優(yōu)選的，所述啟動單元為第七NMOS管，該第七NMOS管的漏極作為所述啟動單元的輸出端，源極連接地端，柵極作為所述啟動單元的控制端。