[實用新型]一種矩陣式藍(lán)寶石襯底有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220101546.2 | 申請日: | 2012-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN202503027U | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張保國;林岳明 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫納克斯半導(dǎo)體材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭;曾丹 |
| 地址: | 214434 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 矩陣 藍(lán)寶石 襯底 | ||
1.一種矩陣式藍(lán)寶石襯底,包括襯底本體(1),其特征在于所述襯底本體(1)的表面設(shè)有縱橫交錯布置的矩陣式刻槽(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種矩陣式藍(lán)寶石襯底,其特征在于所述襯底本體(1)的厚度為200um~1200um,所述刻槽(2)的深度為1nm~500um,所述刻槽(2)的寬度為0.1nm~5.0mm,所述縱橫交錯布置的刻槽(2)之間的距離為1mm~50mm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫納克斯半導(dǎo)體材料有限公司,未經(jīng)無錫納克斯半導(dǎo)體材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220101546.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:鋰離子電池電芯
- 下一篇:一種帶有減震墊的太陽能硅片承載器
- 在集成電路器件中求解線性矩陣
- 矩陣計算裝置、矩陣計算方法
- 一種數(shù)據(jù)聚類的方法、裝置及Spark大數(shù)據(jù)平臺
- 適用于黑白圖片的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)方法以及訓(xùn)練方法
- 適用于灰度圖片的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)方法以及訓(xùn)練方法
- 矩陣
- 矩陣/密鑰生成裝置、矩陣/密鑰生成系統(tǒng)、矩陣結(jié)合裝置、矩陣/密鑰生成方法、程序
- 矩陣運(yùn)算電路、矩陣運(yùn)算裝置及矩陣運(yùn)算方法
- 矩陣乘法計算方法和裝置
- 數(shù)據(jù)讀取方法、裝置、介質(zhì)和計算設(shè)備





