[實用新型]半導體晶圓微型孔電鍍裝置

有效

• 申請號: 201220092045.2
• 申請日: 2012-03-13
• 公開（公告）號: CN202519353U
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 吳燕
• 申請（專利權）人: 吳燕
• 主分類號: C25D7/12
• 分類號: C25D7/12;C25D7/04;C25D5/08;C25D5/02
• 代理公司: 上海開祺知識產權代理有限公司 31114
• 代理人: 竺明

1.半導體晶圓微型孔電鍍裝置，包括，

鍍槽，其上設電鍍液循環管道、循環泵及過濾機構；

陽極，放置于鍍槽內；

遮蔽板，放置于鍍槽內，位于陽極一側；

被鍍物夾具即陰極，放置于鍍槽內，位于遮蔽板另一側；所述的陽極、遮蔽板、被鍍物夾具均同時垂直或傾斜、且相對平行設置于鍍槽內；

整流機構，分別電氣連接陽極、被鍍物夾具；其特征在于，還包括，噴流件及其擺動機構，噴流件設置于被鍍物夾具的工作面一側，噴流件具有一腔體，并通過軟管與循環管道連通；噴流件面向被鍍物夾具的工作面的一側面設一個以上噴流口或噴嘴；噴流件一端連接使其沿被鍍物夾具的工作面左右來回擺動和/或上下升降即水平或垂直方向擺動的擺動機構，使電鍍液能夠均勻地直接地噴射到被鍍物夾具的工作面上的半導體晶圓微型孔。

2.如權利要求1所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，所述的噴流件放置于被鍍物夾具和遮蔽板之間。

3.如權利要求1所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的噴流件的噴流口為可形成線形水刀的縫狀結構設計，縫狀結構一個以上，沿噴流件長度方向設置。

4.如權利要求3所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的縫狀結構為與噴流件軸線垂直或傾斜設置。

5.如權利要求3或4所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的各縫狀結構中，上下縫狀結構的前后端部處于同一水平。

6.如權利要求3或4所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述噴流件上縫狀結構設有一列以上。

7.如權利要求5所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述噴流件上縫狀結構設有一列以上。

8.如權利要求3或4所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的縫狀結構為直縫。?

9.如權利要求5所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的縫狀結構為直縫。

10.如權利要求6所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的縫狀結構為直縫。

11.如權利要求3或4所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述縫狀結構寬度為0.01mm～5mm。

12.如權利要求5所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述縫狀結構寬度為0.01mm～5mm。

13.如權利要求6所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述縫狀結構寬度為0.01mm～5mm。

14.如權利要求1所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的噴流件的噴流口形狀為錐孔。

15.如權利要求1所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的噴流件上沿噴流件寬度方向及高度方向設置若干噴嘴，呈陣列布置。

16.如權利要求15所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述噴嘴陣列中，相鄰兩排噴嘴沿寬度方向錯位排列。

17.如權利要求1或15或16所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的噴嘴內有噴孔，噴孔形狀為縫狀、或錐孔。

18.如權利要求1或15或16所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的噴嘴噴射角30°～160°。

19.如權利要求17所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的噴嘴噴射角30°～160°。

20.如權利要求1或3或14或15或16所述的半導體晶圓微型孔電鍍裝置，其特征在于，所述的噴流件的噴流口或噴嘴垂直對準被鍍物夾具，距離1～50mm。?