[實(shí)用新型]4260納米帶通紅外濾光片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220091369.4 | 申請(qǐng)日： | 2012-03-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202275177U | 公開（公告）日： | 2012-06-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂晶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 杭州麥樂克電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B5/20 | 分類號(hào)： | G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00 |
| 代理公司： | 杭州金源通匯專利事務(wù)所(普通合伙) 33236 | 代理人： | 唐迅 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市西*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 4260 納米 通紅 濾光 | ||
1.一種4260納米帶通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板(2)、以Ge、Si、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層(1)和以Ge、Si、SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層(3)，基板(2)位于第一鍍膜層(1)和第二鍍膜層(3)之間，其特征是第一鍍膜層(1)包含由內(nèi)到外依次排列329nm厚度的SiO層、129nm厚度的Ge層、379nm厚度的SiO層、162nm厚度的Ge層、369nm厚度的SiO層、208nm厚度的Ge層、440nm厚度的SiO層、137nm厚度的Ge層、276nm厚度的SiO層、181nm厚度的Ge層、726nm厚度的SiO層、110nm厚度的Ge層、352nm厚度的SiO層、142nm厚度的Ge層、237nm厚度的SiO層、365nm厚度的Ge層、583nm厚度的SiO層、153nm厚度的Ge層、209nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、697nm厚度的SiO層、357nm厚度的Ge層、1006nm厚度的SiO層、405nm厚度的Ge層、601nm厚度的SiO層、464nm厚度的Ge層、895nm厚度的SiO層、443nm厚度的Ge層、552nm厚度的SiO層；第二鍍膜層(3)包含由內(nèi)到外依次排列的612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、2447nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、612nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、2447nm厚度的SiO層、307nm厚度的Ge層、647nm厚度的SiO層、240nm厚度的Ge層、638nm厚度的SiO層。
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