[實用新型]改善電流傳輸的LED芯片

有效

• 申請號: 201220068785.2
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN202487644U
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 黃慧詩;郭文平;鄧群雄;柯志杰;謝志堅
• 申請（專利權）人: 江蘇新廣聯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

技術領域

本實用新型涉及一種LED芯片，尤其是一種改善電流傳輸的LED芯片，屬于LED芯片的技術領域。

背景技術

近年來，發光二極管（LED）無疑成為最受重視的光源技術之一。一方面LED具有體積小的特性，另一方面LED具備低電流、低電壓驅動的省電特性。理論上預計，半導體LED照明燈的發光效率可以達到甚至超過白熾燈的10倍、日光燈的2倍。同時，它還具有結構牢固，抗沖擊和抗震能力強，超長壽命，可以達到100000小時；無紅外線和紫外線輻射；無汞，有利于環保等眾多優點。

其中，作為在光電領域的主要應用之一，GaN基材料得到了越來越多的關注，利用GaN基半導體材料可制作出超高亮度藍、綠、白光發光二極管。由于GaN基發光二極管的亮度取得了很大的提高，使得GaN基發光二極管在很多領域都取得了應用，例如交通信號燈、移動電話背光、汽車尾燈、短距離通信、光電計算互連等。而在不久的將來可能用作節能、環保照明器具的GaN基白光LED則更是將引起照明產業的革命，有著非常廣闊的應用前景，半導體照明一旦成為現實，其意義重大。

眾所周知，常規的LED芯片需要有正負電極接入使其發光，對應的需要在芯片上制作正負打線盤，通常是金材質，對藍綠色光部分吸收較大，由此引起了光吸收，大大影響出光效率。

發明內容

本實用新型的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種改善電流傳輸的LED芯片，其結構簡單緊湊，降低光吸收，提高出光效率。

按照本實用新型提供的技術方案，所述改善電流傳輸的LED芯片，包括襯底及位于所述襯底上的N型氮化鎵層、量子阱及P型氮化鎵層；所述P型淡化基層上覆蓋有第一透明導電層，第一透明導電層上覆蓋有第二透明導電層，所述第二透明導電層上設有電連接的P電極；所述P電極的正下方設有透明的電流擴散控制絕緣層。

所述P電極在第一透明導電層上的投影面積不大于電流擴散控制絕緣層的投影面積。

所述電流擴散控制絕緣層包括二氧化硅。所述電流擴散控制絕緣層位于第一透明導電層與第二透明導電層的結合部。

所述第二透明導電層的等效電阻值低于第一透明導電層的等效電阻值。所述第一透明導電層與第二透明導電層為ITO層。

所述N型氮化鎵層上方設有與N型氮化鎵層電連接的N電極。所述襯底為藍寶石基板。

本實用新型的優點：P型氮化鎵層上設有第一透明導電層，第一透明導電層上設有第二透明導電層，第一透明導電層與第二透明導電層間設置電流擴散控制絕緣層，電流擴散控制絕緣層位于P電極的正下方，并能夠完全遮擋P電極；通過電流擴散控制絕緣層能改變LED工作時的電流路徑，使得發光區域位于電流擴散控制絕緣層的四周，遠離P電極，避免P電極對光線的吸收，提高出光效率，結構緊湊，安全可靠。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

圖2為圖1的俯視圖。

具體實施方式

下面結合具體附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。

如圖1~圖2所示：本實用新型包括襯底1、N型氮化鎵層2、量子阱3、P型氮化鎵層4、第一透明導電層5、第二透明導電層6、電流擴散控制絕緣層7、P電極8、電流傳輸方向9及N電極10。

如圖1和圖2所示：為了改善目前LED芯片中電流傳輸的路徑，以提高LED芯片的出光效率，本實用新型包括襯底1，所述襯底1上覆蓋有N型氮化鎵層2，所述N型氮化鎵層2上覆蓋有量子阱3，量子阱3上覆蓋有P型氮化鎵層4，P型氮化鎵層4上設有第一透明導電層5，第一透明導電層5上覆蓋有第二透明導電層6，第二透明導電層6上設有電連接的P電極8。N型氮化鎵層2上設有電連接的N電極10，從而形成LED芯片的兩個電極。在所述P電極8的正下方設有電流擴散控制絕緣層7，所述電流擴散控制絕緣層7位于第二透明導電層6內，且電流擴散控制絕緣層7位于第一透明導電層5與第二透明導電層6的結合部。電流擴散控制絕緣層7為透明結構，電流擴散控制絕緣層7的材料一般為二氧化硅，也可以為其他透明絕緣材質。襯底1為藍寶石基板。襯底1、N型氮化鎵層2、量子阱3及P型氮化鎵層4的設置與常規LED芯片的設置保持一致。