[實用新型]高帶寬低壓差線性穩壓源及系統級芯片

有效

• 申請號: 201220066075.6
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN202486643U
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 徐敏;肖君宇;謝文剛;任民
• 申請（專利權）人: 成都國微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李贊堅;曹志霞

1.一種高帶寬低壓差線性穩壓源，包括誤差放大電路及功率級輸出電路，所述功率級輸出電路的輸出端負反饋接至所述誤差放大電路的正相輸入端，所述誤差放大電路的負相輸入端接入基準電壓，其特征在于，還包括拓增帶寬電路，所述拓增帶寬電路的輸入端連接所述誤差放大電路的輸出端，所述拓增帶寬電路的輸出端連接所述功率級輸出電路的輸入端，用以作為第二級非反相放大器而增加整個負反饋環路的帶寬。

2.如權利要求1所述的高帶寬低壓差線性穩壓源，其特征在于，所述拓增帶寬電路中設置有鏡像恒流源，用以使流經所述拓增帶寬電路中的電流保持恒定。

3.如權利要求2所述的高帶寬低壓差線性穩壓源，其特征在于，所述拓增帶寬電路包括第一恒流源(IB_1)、第二恒流源(IB_2)、第一晶體管(M1)、第二晶體管(M2)及第一電阻(R1)，其中：所述第一恒流源(IB_1)的一端接外部電源正端，另一端接所述第二晶體管(M2)的漏極，且所述第二晶體管(M2)的漏極與所述第一晶體管(M2)的柵極連接；所述第二恒流源(IB_1)的一端接地，另一端接所述第一晶體管(M1)的漏極，且所述第一晶體管(M1)的漏極與所述功率級輸出電路的輸入端連接；所述第一晶體管(M1)的柵極通過所述第一電阻(R1)與所述第一晶體管(M1)的漏極連接，所述第一晶體管(M1)的源極接電源正端；所述第二晶體管(M1)的柵極連接所述誤差放大電路的輸出端，所述第二晶體管(M1)的源極接地。

4.如權利要求3所述的高帶寬低壓差線性穩壓源，其特征在于，所述第一晶體管(M1)和所述第二晶體管(M2)均為增強型CMOS管，所述第一電阻(R1)為低溫差電阻。

5.如權利要求1所述的高帶寬低壓差線性穩壓源，其特征在于，所述誤差放大電路為一二級運算放大器(VBG)。

6.如權利要求1所述的高帶寬低壓差線性穩壓源，其特征在于，所述功率級輸出電路包括P型功率晶體管(MP)、分壓網絡及外部補償用的第一電容(Cout)，其中：所述P型功率晶體管(MP)的柵極接所述拓增帶寬電路的輸出端，源極接外部電源正端，漏極接至穩壓輸出端并通過所述分壓網絡接地；所述第一電容(Cout)接于所述P型功率晶體管(MP)的漏極和地之間，用以對輸出電壓穩壓濾波。

7.如權利要求6所述的高帶寬低壓差線性穩壓源，其特征在于，所述分壓網絡包括第二電阻(R2)、第三電阻(R3)及第二電容(C2)，其中：所述第二電阻(R2)和所述第三電阻(R3)串接于所述P型功率晶體管(MP)的漏極和地之間；所述第二電容(C2)與所述第二電阻(R2)并接；所述誤差放大電路的正相輸入端接于所述第二電阻(R2)和所述第三電阻(R3)的連接節點上，實現負反饋連接。

8.如權利要求6所述的高帶寬低壓差線性穩壓源，其特征在于，所述穩壓輸出端設有壓焊點(PAD)。

9.如權利要求8所述的高帶寬低壓差線性穩壓源，其特征在于，所述壓焊點(PAD)與所述誤差放大電路的輸出端之間接有第三電容(C3)。

10.一種系統級芯片，其特征在于，內設有如權利要求1～9任一項所述的高帶寬低壓差線性穩壓源。