[實用新型]大功率LED的封裝結構

有效

• 申請號: 201220056631.1
• 申請日: 2012-02-22
• 公開（公告）號: CN202487666U
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 王清平
• 申請（專利權）人: 廣東科立盈光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/56
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 方振昌

技術領域

本實用新型涉及LED照明裝置領域，具體為一種有效提高絕緣性能的大功率LED的封裝結構。

背景技術

隨著LED燈技術的進步和人們對節能的日益重視，相比傳統照明器更節能的LED照明器日益受到歡迎，應用越來越廣，常見的LED芯片封裝結構采用導電或者非導電膠將LED芯片裝在散熱塊上，用導線連接好后再用環氧樹脂封裝，其熱阻高達300℃/W，?LED燈具外殼還必須經過高壓電測試，以確定安全標準。但上述方案中，在燈具接通高壓電時，LED芯片、散熱塊與燈具外殼連接，而散熱塊是金屬導電材料，容易造成芯片損壞，同時芯片結溫上升和環氧碳化也會造成光衰減，因此，需要一種能通過高壓電測試，且將芯片直接封裝的方案以解決上述問題。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本實用新型提供一種有效提高絕緣性能的大功率LED的封裝結構。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：

大功率LED的封裝結構，包括金屬散熱基板和設置在金屬散熱基板下的LED芯片，并通過熒光封裝膠體把LED芯片覆蓋起來，所述金屬散熱基板和LED芯片依次設置有氮化鋁陶瓷導熱層、絕緣層薄膜和電極片，其中電極片由正電極片和負電極片組成，所述正電極片和負電極片分別與LED芯片正、負極的引腳連接。

為了保證絕緣效果，所述絕緣層薄膜厚度為2～5μm。

為了提高散熱效果，所述金屬散熱基板頂部設置有散熱片。

為了便于LED芯片的連接通電，所述正電極片和負電極片分別繞成半圓弧狀分布在絕緣層薄膜兩側。

本實用新型的有益效果是：該封裝結構通過合理的結構改造，其高絕緣性能的大功率LED燈具封裝結構使用氮化鋁陶瓷導熱層、絕緣層薄膜于芯片與散熱塊之間，氮化鋁陶瓷具有良好的導熱性能，而且又具有良好的電絕緣性能，既不影響散熱，又使芯片與散熱塊之間絕緣，熒光封裝膠體采用激光陶瓷和膠的混合熒光膠，即使在溫度升高時也能保持發揮藍光轉白光的作用，可靠性更好。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的側視結構圖；

????圖2是本實用新型的俯視結構圖。

具體實施方式

參照圖1、圖2，大功率LED的封裝結構，包括金屬散熱基板1和設置在金屬散熱基板1下的LED芯片2，并通過熒光封裝膠體3把LED芯片2覆蓋起來，所述金屬散熱基板1和LED芯片2依次設置有氮化鋁陶瓷導熱層4、絕緣層薄膜5和電極片6。電極片6由正電極片61和負電極片62組成。正電極片61和負電極片62分別繞成半圓弧狀分布在絕緣層薄膜5兩側，所述正電極片61和負電極片62分別與LED芯片2正、負極的引腳21連接。

所述熒光封裝膠體3可選用YAG激光陶瓷和環形樹脂混合成的熒光封裝膠，YAG熒光粉通過其Tb、Ce、Eu等稀土離子作為熒光粉。

絕緣層薄膜5可采用氮化鋁陶瓷或磁控濺射鍍膜，其中厚度優選為2～5μm。

為了提高散熱效果，所述金屬散熱基板1頂部設置有散熱片11。

本實用新型通過合理的結構改造，使用氮化鋁陶瓷導熱層4、絕緣層薄膜5于LED芯片2與金屬散熱基板1之間，氮化鋁陶瓷具有良好的導熱性能，而且又具有良好的電絕緣性能，既不影響散熱，又使LED芯片2與金屬散熱基板1之間絕緣，熒光封裝膠體3采用激光陶瓷和膠的混合熒光膠，即使在溫度升高時也能保持發揮藍光轉白光的作用，可靠性更好。