[實用新型]氣浴裝置、真空抽排裝置以及半導體設備有效
| 申請號: | 201220056075.8 | 申請日: | 2012-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN202585358U | 公開(公告)日: | 2012-12-05 |
| 發明(設計)人: | 周善淮;王英;畢昕 | 申請(專利權)人: | 睿勵科學儀器(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 真空 以及 半導體設備 | ||
1.一種用于提高局部區域潔凈度的氣浴裝置,其特征在于,包括:
潔凈氣源;
氣浴板,其通過調壓閥與所述潔凈氣源流體地連通,并排出來自所述潔凈氣源的氣體,其中,所述氣浴板包括:
進氣口,其通過所述調壓閥耦接到所述潔凈氣源;
第一穩壓腔,其用于穩定由所述進氣口輸入的氣體的流速和壓強;以及
氣浴孔板,其具有多個開孔,所述多個開孔面向被潔凈區域,以將所述氣體由所述第一穩壓腔排向所述被潔凈區域,并在所述被潔凈區域形成層流。
2.根據權利要求1所述的氣浴裝置,其特征在于,所述氣浴板包括多個進氣口,所述多個進氣口被均勻地設置在所述第一穩壓腔的一側。
3.根據權利要求1所述的氣浴裝置,其特征在于,還包括抽氣模塊,被設置在所述被潔凈區域遠離所述氣浴板的一側,用于抽取由所述氣浴板排出的氣體和/或被潔凈區域的氣體。
4.根據權利要求3所述的氣浴裝置,其特征在于,所述抽氣模塊包括:
真空源;
真空板,其與所述真空源流體地連通,用于將由所述氣浴板排出的氣體和/或被潔凈區域的氣體引向所述真空源,其中,所述真空板包括:
真空孔板,其具有多個開孔,所述多個開孔面向所述被潔凈區域,以抽入由所述氣浴板排出的氣體和/或被潔凈區域的氣體;
第二穩壓腔,其用于穩定由所述真空孔板抽入的氣體的流速和壓強;以及
抽氣口,其耦接到所述真空源。
5.根據權利要求4所述的氣浴裝置,其特征在于,所述抽氣模塊?還包括:真空過濾器,其設置在所述真空板與所述真空源之間。
6.根據權利要求4所述的氣浴裝置,其特征在于,所述真空板包括多個抽氣口,所述多個抽氣口被均勻地設置在所述第二穩壓腔的一側。
7.根據權利要求4所述的氣浴裝置,其特征在于,所述真空板的開孔與所述氣浴板的開孔對稱地分布在所述被潔凈區域的兩側。
8.一種用于提高局部區域潔凈度的真空抽排裝置,其特征在于,包括:
真空源;
真空板,其與所述真空源流體地連通,用于將被潔凈區域的氣體引向所述真空源,其中,所述真空板包括:
真空孔板,其具有多個開孔,所述多個開孔面向所述被潔凈區域,以抽入所述被潔凈區域的氣體,并在所述被潔凈區域形成層流;
第二穩壓腔,其用于穩定由所述真空孔板抽入的氣體的流速和壓強;以及
抽氣口,其耦接到所述真空源。
9.根據權利要求8所述的真空抽排裝置,其特征在于,所述真空抽排裝置還包括:真空過濾器,其設置在所述真空板與所述真空源之間。
10.根據權利要求8所述的真空抽排裝置,其特征在于,所述真空板包括多個抽氣口,所述多個抽氣口被均勻地設置在所述第二穩壓腔的一側。
11.一種半導體設備,其特征在于,包括用于容納半導體晶圓的腔室,以及根據權利要求1至7中任一項所述的氣浴裝置或根據權利要求8至10中任一項所述的真空抽排裝置,其中所述氣浴板和/或真空板被設置在所述腔室內。
12.根據權利要求11所述的半導體設備,其特征在于,所述半導體設備是光學薄膜和關鍵尺寸測量設備。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





