[實(shí)用新型]圖像傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220044368.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-02-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202749374U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-02-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙立新;霍介光;李杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 201203 上海*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,其特征在于,包括:
襯底,所述襯底的第一側(cè)形成有金屬互連層;
第一類(lèi)型摻雜區(qū),其位于所述襯底中;
第二類(lèi)型摻雜區(qū),其位于所述襯底中,并與所述第一類(lèi)型摻雜區(qū)相鄰以形成光電二極管;
電極層,其位于所述襯底的第二側(cè),其中所述電極層是可透光的;
絕緣層,其位于所述電極層與所述襯底之間;
其中,所述電極層與所述襯底之間具有預(yù)定電勢(shì)差,以使得所述襯底的第二側(cè)的表面形成第二類(lèi)型導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述第一類(lèi)型摻雜區(qū)從所述襯底的第二側(cè)露出,所述預(yù)定電勢(shì)差使得所述第一類(lèi)型摻雜區(qū)表面反型為所述第二類(lèi)型導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述第二類(lèi)型摻雜區(qū)從所述襯底的第二側(cè)露出并覆蓋所述第一類(lèi)型摻雜區(qū),所述預(yù)定電勢(shì)差使得所述第二類(lèi)型摻雜區(qū)表面的多數(shù)載流子的濃度提高。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述電極層包括一個(gè)或多個(gè)通孔,其位于所述光電二極管上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像傳感器,其特征在于,所述一個(gè)或多個(gè)通孔的面積超過(guò)所述光電二極管面積的10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像傳感器,其特征在于,所述通孔的形狀是六邊形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述電極層的厚度不超過(guò)2000埃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,還包括:
電極互連層,其位于所述電極層上,用于將所述電極層電引出。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其特征在于,所述電極?互連層位于所述光電二極管的邊緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其特征在于,所述電極互連層的厚度為400埃至5000埃。?
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





