[實用新型]一種GaAs激光電池的電極結構有效
| 申請號: | 201220038564.0 | 申請日: | 2012-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN202454565U | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發明(設計)人: | 宋婷 | 申請(專利權)人: | 西安航谷微波光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 西安西交通盛知識產權代理有限責任公司 61217 | 代理人: | 陳翠蘭 |
| 地址: | 710075 陜西省西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 gaas 激光 電池 電極 結構 | ||
1.一種GaAs激光電池電極結構,包括n型電極和p型電極,p型電極為雙p型電極,雙p型電極由兩個p型主電極通過其間縱向設置的p型柵電極連接構成,其特征在于,所述n型電極包括兩條電極,兩條n型電極與p型主電極中第1p型主電極平行設置,兩條n型電極與p型柵電極垂直設置;所述兩條n型電極中第1n型電極置于第1p型主電極的外側,兩條n型電極中第2n型電極置于雙p型主電極內側第1p型主電極間距的2/3處。
2.根據權利要求1所述的一種GaAs激光電池電極結構,其特征在于,所述電池電極結構是矩形、三角形或扇形。
3.根據權利要求2所述的一種GaAs激光電池電極結構,其特征在于,所述矩形結構的電池電極中第1p型主電極與第2p型主電極相互平行設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





