[實用新型]電鑄晶圓凸塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220034180.1 | 申請日： | 2012-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN202454551U | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李真明;周濤;黎盼;陳英;余文龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆山美微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電鑄 晶圓凸塊 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.電鑄晶圓凸塊，其特征在于：包括IC腳墊和電鑄成型于IC腳墊上的錫鉛凸塊；所述的錫鉛凸塊為多個；錫鉛凸塊的厚度為0.02～0.2mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鑄晶圓凸塊，其特征在于：所述的錫鉛凸塊由外而內(nèi)分為錫鉛球本體和球下冶金層；錫鉛球本體為倒置的球形，材料為錫鉛合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鑄晶圓凸塊，其特征在于：所述的球下冶金層由外向內(nèi)分為潤濕層、保護層和粘附層，粘附層的材料為鈦或鉻，潤濕層的材料為鎳或銅，保護層的材料為金或銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鑄晶圓凸塊，其特征在于：所述的錫鉛球本體的高度為50～80μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鑄晶圓凸塊，其特征在于：所述的錫鉛凸塊為100～200個。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鑄晶圓凸塊，其特征在于：所述的錫鉛凸塊間距為100～200μm。
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