[實用新型]一種具有電極結構的厚膜電路板有效
| 申請號： | 201220029111.1 | 申請日： | 2012-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN202758889U | 公開（公告）日： | 2013-02-27 |
| 發明（設計）人： | 白云峰 | 申請（專利權）人： | 東莞市簡創電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/01 | 分類號： | H01L27/01 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市萬江區金泰社*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 電極 結構 電路板 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有電極結構的厚膜電路板，其特征在于：包括有陶瓷基板，在陶瓷基板上制備有賤金屬電極，在賤金屬電極上設置保護層，在賤金屬電極和保護層上設置保護膜；還可以在賤金屬電極和保護層之間設置電阻體，所述電阻體的橫截面上具有至少一個切口。
2.根據權利要求1所述的具有電極結構的厚膜電路板，其特征在于：所述賤金屬電極的電極結構的一部分由至少一種賤金屬材料構成。
3.根據權利要求1所述的具有電極結構的厚膜電路板，其特征在于：所述賤金屬電極是以厚膜絲印、光刻、真空濺射方式形成。
4.根據權利要求1所述的具有電極結構的厚膜電路板，其特征在于：所述保護膜是具有分子膜結構的保護膜，主要由烷基硫醇一類分子膜構成。
5.根據權利要求1所述的具有電極結構的厚膜電路板，其特征在于：所述陶瓷基板的背面設置背電極或標記。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
