[實(shí)用新型]一種用于等離子體處理裝置的聚焦環(huán)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220027711.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-01-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202405228U | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 凱文·佩爾斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J37/32 | 分類號(hào): | H01J37/32;H01J37/02 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 等離子體 處理 裝置 聚焦 | ||
1.一種應(yīng)用于等離子體處理裝置的聚焦環(huán),所述聚焦環(huán)設(shè)置于載片臺(tái)上,包圍位于所述載片臺(tái)上的基片,其特征在于,所述聚焦環(huán)的上表面上有若干個(gè)突起,所述突起在豎直方向上的高度至少高于所述基片的下表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán),其特征在于,所述聚焦環(huán)的上表面在豎直方向上的高度低于所述基片的下表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán),其特征在于,在所述聚焦環(huán)上設(shè)置有若干個(gè)凹部,所述突起具有一和所述凹部相配合的接插頭。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聚焦環(huán),其特征在于,所述凹部的表面設(shè)置有第一螺紋,所述接插頭表面設(shè)置有第二螺紋,其中,所述第一螺紋和所述第二螺紋相互配合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán),其特征在于,所述突起是和聚焦環(huán)一體成型制造而成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán),其特征在于,所述突起粘合在所述聚焦環(huán)上表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán),其特征在于,所述突起的寬度的取值范圍為1cm,所述突起的面積的取值范圍為1cm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán),其特征在于,所述突起的材料包括碳化硅、氧化硅、硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán),其特征在于,所述突起的端部呈圓滑的圓頭形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán),其特征在于,所述突起的端部在內(nèi)側(cè)邊緣部具有位置低于其表面的臺(tái)階部。
11.一種等離子體處理裝置,其特征在于,所述等離子體處理裝置包括權(quán)利要求1~10任一項(xiàng)所述的聚焦環(huán)。
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