[實(shí)用新型]一種物理氣相沉積法生長大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220020783.6 | 申請日： | 2012-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN202430332U | 公開（公告）日： | 2012-09-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高玉強(qiáng);胡小波;郝霄鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B23/02 | 分類號： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 濟(jì)南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人： | 呂利敏 |
| 地址： | 250000 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 物理 沉積 生長 尺寸 碳化硅 石墨 坩堝 | ||
1.一種物理氣相沉積法生長大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝，包括收容碳化硅原料的坩堝桶和上蓋，在所述坩堝桶的內(nèi)壁上部和上蓋的外壁上設(shè)置有相互旋合的螺紋，所述上蓋和坩堝桶通過所述的螺紋連接；其特征在于，在所述的坩堝桶內(nèi)壁上設(shè)置有放置多孔石墨板的定位塊；在定位塊上放置有多孔石墨板，所述多孔石墨板的外徑與坩堝桶的內(nèi)徑相適應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種物理氣相沉積法生長大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝，其特征在于，所述坩堝桶和上蓋的材質(zhì)為高密度石墨。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種物理氣相沉積法生長大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝，其特征在于，所述多孔石墨板的材質(zhì)為低密度多孔石墨。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種物理氣相沉積法生長大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝，其特征在于，所述的定位塊沿坩堝桶的內(nèi)壁一周設(shè)置，呈圓環(huán)狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種物理氣相沉積法生長大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝，其特征在于，所述的定位塊包括沿坩堝桶的內(nèi)壁一周設(shè)置的多個凸起擋塊。
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