[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示器及制造該有機發(fā)光顯示器的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210599164.1 | 申請日: | 2012-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103594483A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 崔浩源;金辰烈 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示器 制造 方法 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示器,所述有機發(fā)光顯示器包括:
第一緩沖層和第二緩沖層,所述第一緩沖層和第二緩沖層中的每一個均具有有源區(qū)和死區(qū)并且彼此面對;
薄膜晶體管陣列,所述薄膜晶體管陣列包括在所述第一緩沖層的所述有源區(qū)上以矩陣形式限定的多個像素中的每一個像素中的薄膜晶體管;
有機發(fā)光二極管,所述有機發(fā)光二極管在每個像素處連接到每個薄膜晶體管;
觸摸電極陣列,所述觸摸電極陣列形成在所述第二緩沖層的所述有源區(qū)上;
觸摸焊盤部分,所述觸摸焊盤部分形成在所述第二緩沖層的所述死區(qū)的一部分上;
虛設焊盤部分,所述虛設焊盤部分在所述第一緩沖層的所述死區(qū)上面對所述觸摸焊盤部分;以及
密封劑,所述密封劑包括所述觸摸焊盤部分與所述虛設焊盤部分之間的多個導電球,
其中,所述觸摸焊盤部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離小于與所述觸摸焊盤部分鄰近的相鄰部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述觸摸焊盤部分包括彼此間隔開的多個觸摸焊盤電極,以及
其中所述虛設焊盤部分包括與所述觸摸焊盤電極相對應的多個虛設電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述導電球被壓縮為所述觸摸焊盤部分與所述虛設焊盤部分之間的預定厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述相鄰部分彼此相對并且所述相鄰部分中的至少一個與所述密封劑間隔開預定距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述觸摸焊盤電極具有層疊結(jié)構(gòu),所述層疊結(jié)構(gòu)包括:金屬圖案;與所述金屬圖案交疊的透明電極圖案;以及布置在所述金屬圖案與所述透明電極圖案之間的至少一個層間絕緣膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示器,其中至少一個層間絕緣薄膜是有機膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述觸摸電極陣列包括:
金屬橋,所述金屬橋與所述第二緩沖層上的所述金屬圖案形成在同一層上;
多個第一透明溝道電極,所述多個第一透明溝道電極電連接到所述金屬橋,同時在與所述透明電極圖案相同的層中與所述金屬橋交疊,所述第一透明溝道電極在第一方向上間隔開;以及
第二透明溝道電極,所述第二透明溝道電極在與所述第一透明溝道電極相同的層中橫跨所述金屬橋的同時在第二方向上形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述觸摸焊盤電極還包括公共透明電極圖案,所述公共透明電極圖案連接到所述透明電極圖案并且與所述透明電極圖案交疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示器,所述有機發(fā)光顯示器還包括與所述公共透明電極圖案在相同的層中的公共透明電極,使得所述公共透明電極覆蓋所述第一透明溝道電極以及所述第二透明溝道電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示器,所述有機發(fā)光顯示器還包括第一層間絕緣膜,所述第一層間絕緣膜位于所述第一透明溝道電極和所述第二透明溝道電極的層與所述金屬橋之間;以及
第二層間絕緣膜,所述第二層間絕緣膜形成在所述第一透明溝道電極和所述第二透明溝道電極的所述層與所述公共透明電極之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示器,其中從所述相鄰部分中的至少一個的所述死區(qū)中移除至少一個層間絕緣膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示器,其中從除了與所述第二透明溝道電極交叉的所述金屬橋之外的區(qū)域和所述觸摸焊盤電極中移除所述第一層間絕緣膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示器,其中,所述虛設電極包括層疊在所述第一緩沖層上的柵極絕緣膜、柵極電極層、中間絕緣膜以及源極金屬層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器,所述有機發(fā)光顯示器還包括分別形成在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的背面上的第一蝕刻停止膜和第二蝕刻停止膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器,所述有機發(fā)光顯示器還包括形成在所述第一蝕刻停止膜的背面上的膜基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





